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NTD2955T4G

文件大小828KB,共8页
制造商台湾微碧(VBsemi)
官网地址http://www.vbsemi.tw/
VBsemi成立于2000年,是国内MOSFET最具竞争力之功率半导体组件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利,并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。 VBsemi是台湾一家自行研发、生产、销售MOSFET自有品牌的公司。从组件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务,营销全球。本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。
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NTD2955T4G规格参数

参数名称属性值
类型P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
功率(Pd)34W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)61mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)100pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

参考设计

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