GVT7164D36T-3,GVT7164D36T-3 pdf中文资料,GVT7164D36T-3引脚图,GVT7164D36T-3电路-Datasheet-电子工程世界

GVT7164D36T-3: 产品描述Standard SRAM, 64KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小142KB，共12页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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GVT7164D36T-3概述

Standard SRAM, 64KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

GVT7164D36T-3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	2359296 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.002 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.425 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

GVT7164D36T-3相似产品对比

	GVT7164D36T-3	GVT7164D36T-6	GVT7164D36T-5	GVT7164D36T-4
描述	Standard SRAM, 64KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Standard SRAM, 64KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Standard SRAM, 64KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Standard SRAM, 64KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns	4 ns	4 ns	3.8 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	117 MHz	133 MHz	150 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	2359296 bi	2359296 bi	2359296 bi	2359296 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX36	64KX36	64KX36	64KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.425 mA	0.35 mA	0.375 mA	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

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