Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
参数名称 | 属性值 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 750 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 300 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大维持电流 | 1000 mA |
JESD-30 代码 | O-MUPM-H3 |
最大漏电流 | 60 mA |
通态非重复峰值电流 | 5700 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最大通态电流 | 550000 A |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 550 A |
重复峰值关态漏电流最大值 | 60000 µA |
断态重复峰值电压 | 1200 V |
重复峰值反向电压 | 1200 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置 | UPPER |
触发设备类型 | SCR |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved