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BC817-AU_BD_1001

产品描述NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
文件大小260KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BC817-AU_BD_1001概述

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

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BC817-AU SERIES
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
VOLTAGE
FEATURES
General
purpose amplifier applications
NPN
epitaxial silicon, planar design
• Collector current I
C
= 500mA
• Acqire quality system certificate : TS16949
AEC-Q101 qualified
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.120(3.04)
0.110(2.80)
45 Volts
POWER
330 mW
SOT-23
Unit
inch(mm)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.079(2.00)
0.008(0.20)
0.003(0.08)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.0084 grams
• Device Marking :
BC817-16-AU : 8A
BC817-25-AU : 8B
BC817-40-AU : 8C
0.070(1.80)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Total Power Dissipation ( NOTE )
Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
TOT
T
J
, T
STG
Value
45
50
5.0
500
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
o
C
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Thermal Resistance Junction to Ambient ( NOTE )
Thermal Resistance Junction to Lead
SYMBOL
R
JA
R
JL
Value
375
220
UNIT
o
C
o
C
/W
/W
NOTE : Transistor mounted on FR-5 board minimum pad mounting conditions.
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PAGE . 1
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