电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BAV70W-AU_TX_00001

产品描述SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES Fast switching speed
文件大小252KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 全文预览

BAV70W-AU_TX_00001概述

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES Fast switching speed

BAV70W-AU_TX_00001文档预览

下载PDF文档
BAW56W-AU,BAV70W-AU,BAV99W-AU,BAL99W-AU
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• Electrically Identical to Standard JEDEC
• High Conductance
• Acqire quality system certificate : TS16949
AEC-Q101 qualified
• Lead free in comply with EU RoHS
2011/65/EU
directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
100Volts
POWER
200mWatts
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.0002 Ounces, 0.005 Grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
PA RA M E TE R
Ma rk i ng C o d e
Re ve rs e Vo lta g e
P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Re c ti fi e d C urre nt (A ve ra g e ), Ha lf Wa ve Re c ti fi c a t i o n wi th
Re s i s t i ve L o a d a nd f >= 5 0 Hz
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt, 0 .0 0 1 ms
P o we r D i s s i p a ti o n D e ra t e A b o ve 2 5
O
C
V
R
V
RM
I
O
I
F S M
P
TOT
S YM B OL
B AW5 6 W
- A U
B AV 7 0 W
- A U
B AV 9 9 W
- A U
B A L 9 9 W
- A U
JC
JA
75
100
150
4.0
200
0 .7 1 5 @ IF = 0 .0 0 1 A
0 .8 5 5 @ IF = 0 . 0 1 A
1 . 0 @ IF = 0 .0 5 A
1 .2 5 @ IF = 0 .1 5 A
0 .0 3
2.5
1 .5
4.0
625
250
-5 5 to +1 5 0
C o mm o n
A no d e
COMMON ANODE
O
o
UNITS
JB
JF
V
V
mA
A
mW
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e
Ma xi mum D C Re ve rs e C urre nt a t 2 5 V
75V
Ma xi mum J unc ti o n C a p a c i t a nc e ( No t e s 1 )
Ma xi mum Re ve rs e Re c o ve ry Ti me (No te s 2 )
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e , J unc ti o n t o A m b i e nt(No te s 3 )
J unc ti o n to C a s e (No t e s 4 )
J unc ti o n Te mp e ra ture Ra ng e
C i rc ui t F i g ure
V
F
V
I
R
C
J
T
RR
R
θ
JA
R
θ
JC
T
J
μ
A
pF
ns
C / W
O
C
C o m mo n
C a tho d e
S e ri e s
S i ng le (A lt)
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
3. Mountde on minimum pad.
2
4. Mounted on 48 cm PCB.
March 30,2012-REV.03
COMMON CATHODE
SERIES
SINGLE (Alt)
3
3
3
3
1
2
1
2
1
2
1
2
PAGE . 1
车辆可控减振器智能通讯系统的研究
摘 要:本文介绍了一种可控减振器智能通讯系统的组成。设计了用于数据采集的单片机部分,利用该模块可以自动采集表征可控减振器工作性能的数据。同时给出了上、下位机之间通讯的软、硬件设计方 ......
frozenviolet 汽车电子
msp430的中断优先级和中断嵌套(及容易理解错误的说明)
转载于半岛鱼的学习博客 MSP430的中断优先级按所在的向量的大小排列,中断向量地址越高优先级就越大,但是默认的MSP430是不能中断嵌套的,要想在执行某一中断时能够响应更高优先级的中断, ......
qinkaiabc 微控制器 MCU
基于PROTEUS与AVR单片机设计与仿真
基于PROTEUS与AVR单片机设计与仿真:里面有课本上的全部实例,希望大家一起学习...
haiming627 Microchip MCU
滤波器的设计——FilterSolutions
516182516183 516195516196516197516198516199516200516201516202516203516204 ...
btty038 无线连接
为什么电容器变薄了,静电容量却反而增加了呢?
1.电容器变薄但静电容量却反而增加的理由  根据数学表达式C=ε×S/d,增大电容器静电容量的方法有如下3种:  ①增大ε(介电常数)  ②增大S (电极面积)  ③减小d (电介质厚度)   ......
fish001 模拟与混合信号
招聘单片机开发工程师
职位描述 1. 本科以上学历 2.有51开发经验,有C8051F开发经验者优先 3. 熟悉RS485、CAN、DALI总线开发与应用者优先 4.熟练C语言,具有Pic系列的8位、16位MCU开发经验优先 5.精通8位 ......
fujianfeng 嵌入式系统
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved