1N47 SERIES
稳压（½纳）二极管
Zener Diodes
■特征
Features
●
P
tot
1.0W
●
V
z
3.3V-100V
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
DO-41
1.02(26.0)
MIN
.177(4.50)
MAX
1.02(26.0)
MIN
.034(0.86)
MAX
■用途 Applications
●稳定电压用 Stabilizing
Voltage
.102(2.60)
MAX
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值（绝对最大额定值）
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
损耗功率
Power dissipation
½纳电流
Zener current
最大结温
Maximum junction temperature
存储温度范围
Storage temperature range
符号
Symbol
P
tot
I
Z
T
j
单½
Unit
W
mA
℃
条件
Conditions
L=4mm,T
L
=25℃
最大值
Max
1.0
1)
P
V
/V
Z
175
T
stg
℃
-65 to +175
■电特性 （T
a=25
℃
除非另有规定）
Electrical Characteristics（Ta=25
℃
Unless otherwise specified）
参数名称
Item
典型热阻(1)
Thermal resistance
正向电压
Forward voltage
符号
Symbol
R
θJA
V
F
单½
Unit
℃/W
V
条件
Conditions
结到环境，L=4毫米，T
L
=常温
junction to ambient air, L=4mm,T
L
=constant
I
F
=200mA
最大值
Max
110
1.2
备注：Notes:
1)
距离管½4毫米引线处的温度设定为环境温度
Valid provided that leads at a distance of 4 mm from case are kept at ambient temperature.
Document Number 0244
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
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1N47 SERIES
■电性参数
(T
A
=25
℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics (T
A
=25
℃
unless otherwise noted)
额定½纳电压
产品型号
Part
Number
Nominal Zener
voltage
1)
V
Z
at I
ZT
V
1N4728A
1N4729A
1N4730A
1N4731A
1N4732A
1N4733A
1N4734A
1N4735A
1N4736A
1N4737A
1N4738A
1N4739A
1N4740A
1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
1N4751A
1N4752A
1N4753A
1N4754A
1N4755A
1N4756A
1N4757A
1N4758A
1N4759A
1N4760A
1N4761A
1N4762A
1N4763A
1N4764A
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
测试电流
Test
current
I
ZT
mA
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
最大动态电阻
Maximum dynamic impedance
Z
ZT
at I
ZT
Ω
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
Z
ZK
at I
ZK
Ω
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向漏电流
Maximum reverse leakage current
IR
μA
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Test voltage V
R
V
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76.0
浪涌电流
Surge current
3)
at T
A
=25℃ I
R
mA
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
最大调整电流
Maximum
regulator current
2)
I
ZM
mA
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
备注：Notes:
1)
基于直流测试热平衡的同时保持引线的温度在30℃+
1℃，距离二极½本½距离为9.5毫米（3/ 8"
）
Based on dc-measurement at thermal equilibrium while maintaining the lead temperature (TL) at 30
℃
+1
℃
, 9.5 mm (3/8")
from the diode body
2)
距离管½4毫米引线处的温度设定为环境温度
Valid provided that electrodes at a distance of 4 mm from case are kept at ambient temperature
tp = 10 ms
3)
Document Number 0244
Rev. 1.0, 22-Sep-11
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1N47 SERIES
■特性曲线（典型）
Characteristics(Typical)
图
1
：可接受功率损耗与环境温度关系
FIG1: Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperat
Ptot(W)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
100
200
Tamb
（℃）
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