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PJSD05ULFN2_R1_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DFN-2; 产品类别分立半导体二极管; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05ULFN2_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DFN-2

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	R-PBCC-N2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	6 V
击穿电压标称值	7.4 V
最大钳位电压	11.5 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散	200 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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