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BZX55B75

产品描述75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小187KB,共5页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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BZX55B75概述

75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

BZX55B75规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗250 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压75 V
表面贴装NO
最大电压容差2%
工作测试电流2.5 mA

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BZX55 SERIES
稳压(½纳)二极管
■特征
Features
P
tot
500mW
V
z
2.4V-75V
Zener Diodes
Outline Dimensions and Mark
■外½尺寸和印记
DO-35
1.02(26.0)
MIN
.165(4.20)
MAX
1.02(26.0)
MIN
.022(0.55)
MAX
■用途  Applications
 
●稳定电压用  Stabilizing
Voltage
.079(2.00)
MAX
■极限值(绝对最大额定值)
 
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
损耗功率
Power dissipation
½纳电流
Zener current
最大结温
Maximum junction temperature
存储温度范围
Storage temperature range
Dimensions in inches and (millimeters)
符号
Symbol
P
tot
I
Z
T
j
单½
Unit
mW
mA
条件
Conditions
L=4mm,T
L
=25℃
P
tot
/V
Z
最大值
Max
500
见表格
See Table
175
T
stg
-65 to +175
■电特性 (T
a=25
除非另有规定)
Electrical Characteristics(Ta=25
Unless otherwise specified)
参数名称
Item
典型热阻(1)
Thermal resistance
正向电压
Forward voltage
符号
Symbol
R
θJA
V
F
单½
Unit
℃/W
V
条件
Conditions
结到环境,L=4毫米,T
L
=常温
junction to ambient air, L=4mm,T
L
=constant
I
F
=200mA
最大值
Max
300
1.5
Document Number 0242
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技½股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
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