Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4006

文档预览

1N4006: 产品描述1.0A SILICON RECTIFIERS 1.0安培硅整流器; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小45KB，共2页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

1N4006在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	1N4006	-	-	点击查看	点击购买

1N4006概述

1.0A SILICON RECTIFIERS 1.0安培硅整流器

1 A, 800 V, 硅, 信号二极管, DO-41

功能特点

产品名称：1.0A SILICON RECTIFIERS 1.0安培硅整流器

产品型号：1N4006

产品特征：

Low forward voltage drop

High current capability

High reliability

High surge current capability

机械数据：

Cases:Molded plastic

Epoxy:UL 94V-0 rate flame retardant

Lead:Axial leads,solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

Polarity:Color band denotes cathode end

High temperature soldering guaranteed;

250?C /10 seconds/.375”,(9.5mm)lead

Lengths at 5 lbs.,(2.3kg) tension

Weight: 0.35 grams

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

产品数据：

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 最大反向峰值电压：800V

Maximum RMS Voltage VRMS 电压有效值：560V

Maximum DC blocking Voltage VDC 最大直流阻断电压：800V

Maximum Average Forward Rectified Current .375”(9.5mm) Lead length @TA=75℃ IF(AV) 最大正向电流：1.0 A

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Super imposed on Rated Load IFSM 最大正向浪涌电流：30 A

Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 1.0A VF 最大正向压降：1.0 V

Maximum Reverse Current at Rated @TA=25℃ IR 最大反向漏电流：5.0μA

DC blocking voltage @TA= 100℃ IR 最大反向漏电流：50.0μA

Typical Thermal Resistance (Note) RθJA 热阻系数：50 ℃/W

Operating Temperature Range TJ 工作结温：-65 to +125 ℃

Storage Temperature Range TSTG储存温度范围：-65 to +150 ℃

封装： DO-41

1N4006规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Code	compli
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
最高工作温度	125 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO

1N4006文档预览

下载PDF文档

全文
预览

1N4001 THRU 1N4007

1.0 AMP. SILICON

RECTIFIERS

Voltage Range

50 to 1000 Volts

Current

1.0 Amperes

DO-41

Features

Low forward voltage drop

High current capability

High reliability

High surge current capability

1.0(25.4)

MIN.

.107(2.7)

.080(2.0)

DIA.

.205(5.2)

.166(4.2)

Mechanical Data

Cases:Molded plastic

Epoxy:UL 94V-0 rate flame retardant

Lead:Axial leads,solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Polarity:Color band denotes cathode end

High temperature soldering guaranteed:

250

C/10 seconds/.375",(9.5mm) lead

lengths at 5 lbs.,(2.3kg) tension

Weight:0.35 gram

.034(.86)

.028(.71)

DIA.

1.0(25.4)

MIN.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Type Number

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Current

.375"(9.5mm) Lead Length @T

= 75 C

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half Sine-wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@1.0A

Maximun DC Reverse Current @ T

= 25 C

at Rated DC Blocking Voltage @

= 125 C

Maximun Full Load Reverse Current, Full

Cycle Average .375"(9.5mm) Lead Length

=75 C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating and Storage Temperature Range

1N4001

RRM

RMS

F(AV)

FSM

1N4002

100

1N4003

200

140

200

1N4004

400

280

400

1.0

1N4005 1N4006 1N4007

UNITS

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

1.0

5.0

-55 to+125

*JA

STG

C/W

NOTES: 1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.

2.Thermal Resistance from Junction to Ambient .375"(9.5mm) Lead Length.

推荐资源

本周精彩博文分享: 为什么还在使用继电器驱动汽车电机？ 334236 随着汽车电气系统中日益采用更小更智能的集成电路（IC），现在是开始在解决大家熟视无睹的问题的时候了：为什么我们仍然在天窗模块、车窗玻璃 ......; 橙色凯 TI技术论坛

请教lm3s1138的RTC工作模式: lm3s1138的RTC工作模式下，是不是只能够在CCP端输入32.768KHZ信号。我输入的是2.5k,怎么总不能够计数呢？我需要的功能就是想用RTC工作模式来记外部输入了多少个脉冲信号。...; ZHANGXUEJIE 微控制器 MCU

高手请进：PB定制WinCE如何设定分辨率和IP: 请问在PB中如何设定你定制的系统的分辨率、刷新率和IP地址？比如分辨率设为1024*768，刷新率设为95Hz，IP为192.168.0.1。谢谢！...; pfxu 嵌入式系统

一个在keil中编译时的问题，比较奇怪。: 下面是一段测试程序： void main() { unsigned char code is={0x01,0x01,0x80,0x03}; char j; bit c; j = 0; data unsigned char code *p; p=is; while(*p++) { c=(bit)* ......; napolun 嵌入式系统

单片机应用中PID控制的使用: 最近一段时间，我在学习智能控制和数字信号处理！虽然上学的时候也许过现代控制，但是不是那么深！现在发现智能控制对现代仪器设备和综合性产品很多都应用到智能控制理论特别是PID控制这块！所 ......; makechinawei 单片机

IIC时序图: 448473 ...; fish001 微控制器 MCU

SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8月25日消息，SK海力士公司宣布其321层2TbQLCNAND闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过300层的QLC技术应用，为NAND存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一种容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量N...[详细]
ADI 2025三财季业绩超预期，工业业务复苏强劲，机器人是未来

ADI举行了2025财年第三季度财报电话会议。首席执行官兼董事会主席VincentT.Roche与执行副总裁兼首席财务官RichardC.Puccio共同出席，就公司季度业绩、业务发展及未来展望进行了详细阐述。财务业绩强劲，多领域增长超预期第三季度财务数据：收入28.8亿美元，超预期上限，环比+9%，同比+25%。工业业务占45%，环比...[详细]
台积电Q2利润飙升60%，美国芯片工厂盈利

根据最新财报数据，得益于其在先进工艺领域的领先地位，台积电（TSMC）2025年第二季度利润表现极为亮眼，税后纯利润高达3982.7亿新台币，同比激增60%以上，净利润率更是达到了惊人的42.7%。更令人瞩目的是，台积电在美国的芯片工厂运营状况超预期，税后纯利润达到42.3亿新台币。尽管这一数字相对于公司总利润而言微不足道，但其象征意义深远，标志着台积电在美国市场的初步成功。台积电计划在美国...[详细]
从生成式AI到代理式AI：半导体技术赋能下一波创新浪潮

AI领域始终在不断演进，我们正见证一场从“生成式AI”时代到“代理式AI”时代的深刻变革。这场变革有望重塑各行各业，并释放前所未有的发展机遇。与此同时，这也需要我们提供更具创新性的技术解决方案，从而精准满足这些新兴工作负载的独特需求。如今，代理式AI正驱动各行各业变革性应用的落地。机器人领域正经历巨变，从简单的自动化发展到仓库应用、制造业等领域的复杂自主代理。与此同时，智能边缘计算也将被...[详细]
格芯宣布与一家中国本地晶圆厂达成最终协议，为客户大陆订单提供可靠供应

8月6日消息，格芯GlobalFoundries在当地时间昨日公布的2025年第二季度财报中宣布，作为其“在中国为中国”战略的一部分，其已与一家中国本地晶圆代工厂达成最终协议，为格芯在中国大陆的客户提供可靠的供应。格芯表示，在这一合作协议的框架下，客户将受益于其汽车级工艺技术和制造专长，从而满足中国国内的需求。而根据格芯高管在财报电话会议中的详细解释，与中国本地晶圆代工厂的合作...[详细]
芯联集成2025半年报解读：主营收入同比增长近25%，单季度归母净利润首次转正

新能源与AI的“涌现”时刻已经到来。半导体作为底层技术基石，正迎来历史性机遇窗口。8月4日晚，芯联集成发布2025年半年度业绩公告。上半年，公司经营质量提升，首次实现单季度归母净利润转正，整体盈利进一步向好：主营收入34.57亿元，同比增长24.93%归母净利润同比减亏63.82%，二季度归母净利润0.12亿元毛利率3.54%，同比增长7.79个百分点经营活动产生的现...[详细]
DigiKey 庆贺印度班加罗尔办事处正式启动

DigiKey印度全球能力中心将提供全球性的服务和支持全球领先的电子元器件和自动化产品分销商DigiKey日前隆重宣布，在班加罗尔正式启动其印度子公司Digi-KeyElectronics&AutomationTradingPrivateLimited，该公司将成为DigiKey的一个全球能力中心(GCC)，为全球客户提供服务和支持。这一举措彰显了DigiK...[详细]
消息称 AMD 已以台积电 N3P 工艺流片下代 Radeon GPU，目标 2027 年中推出

12月26日消息，消息人士@Kepler_L2在参与X平台上有关AMD与三星潜在合作可能的讨论时表示，AMD的下一代RadeonGPU芯片已在台积电N3P工艺制程节点完成流片，预计在2027年中（IT之家注：应即当年的COMPUTEX台北国际电脑展上）发布。换句话说，下代RadeonGPU的公布时间将同现有RDNA4系列间隔约2.5年，...[详细]
消息称三星电子 2025H2 重夺谷歌 TPU AI 芯片主力 HBM 内存供应商地位

12月1日消息，韩媒hankyung今早报道称，尽管SK海力士今年上半年向谷歌的TPUAI芯片供应了更多的HBM内存，但三星电子凭借着下半年的良好表现，全年对谷歌TPU的HBM供应占比将达到60%。报道认为，这一表现的改善应得益于三星电子对其HBM3E的基石——1anmDRAM——进行了重新设计，解决了发热问题。作为“非英伟达阵营”中最重要的...[详细]
台积电去年四季度营收337亿美元全年超过1200亿美元

1月16日消息，据外媒报道，为苹果、英伟达、AMD等诸多厂商代工芯片、市场份额遥遥领先的台积电，已经发布了他们去年四季度的财报，营收和净利润同比环比均有增加，全年的营收和净利润也有大增。台积电的财报显示，他们在去年四季度营收337.31亿美元，高于2024年同期的268.84亿美元，同比增长25.5%，也高于上一季度的330.97亿美元，环比增长1.9%。利润方面，财报显示他们这一季度的毛利...[详细]
SiFive CEO:RISC-V如何塑造计算的未来

日前，SiFive董事长、总裁兼首席执行官PatrickLittle谈到了RISC-V如何塑造计算的未来，SiFive如何从嵌入式到数据中心的应用程序中获得动力，以及该公司如何在人工智能“无处不在”的情况下引领潮流。以下是文章详情：我想先稍微拉远视角讲一讲，因为我们平时太过专注于每天发生的事情，所以我想谈谈行业中那些更大的齿轮在如何转动，并且随着时间的推移，获得了越来越多的惯性和动...[详细]
芯联集成三季度实现毛利率转正

公司三季度实现毛利率转正，单季度毛利率约为6%。2024年10月13日，芯联集成发布2024年前三季度业绩预告。公司营收、净利润、EBITDA(息税折旧摊销前利润)等指标均保持高增长，这也是公司自去年5月份上市来一贯保持的业绩增速节奏。公司预计2024年前三季度：营业收入约为45.47亿元，同比增加约7.16亿元，增长约18.68%；归母净利润约为-6.84亿元，同比减亏...[详细]
三星电子芯片业务负责人全永铉罕见就 Q3 业绩不及预期致歉

10月8日消息，三星电子今日公布了其2024年第三季度的收益指引，利润和营收均未达到市场预期，引发了对其关键芯片部门前景的不确定性担忧。对此，三星电子芯片业务负责人全永铉（JunYoung-hyun）就业绩表现致歉。全永铉在一份声明中表示，“我们引起了人们对技术竞争力的担忧，一些人谈论三星面临的危机。”他表示，作为行业领导者，他们对此负有全部责任。三星电子第三季度的初步营业利润约...[详细]
被苹果踢出果链后，Coherent 公司以 2000 万英镑出售旗下晶圆厂

9月30日消息，半导体巨头Coherent公司于9月27日宣布出售位于英国达勒姆郡牛顿艾克利夫（NewtonAycliffe,CountyDurham）的晶圆制造工厂，此次出售是公司持续优化运营和整合全球业务版图的一部分。“剥离牛顿艾克利夫工厂是我们优化产品组合、精简运营的一部分，这将使我们能够将投资和资本集中到对公司而言长期增长和盈利能力最有利的领域，”Cohere...[详细]
北交大本科生探秘泰克先进半导体开放实验室，亲历前沿高科技魅力

2024年11月25日，中国北京——10月24日，北京交通大学电气工程学院的“电力电子方向专业综合设计与实践”本科大四学生在杨晓峰教授的带领下，走进了泰克先进半导体开放实验室，开启了一场科技探秘之旅。这次活动的目的，是为了让学生们跳出课本，近距离感受行业脉搏，体验产教结合的魅力。在实验室里，泰克的工程师们带领同学们走近时下热点的SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等新...[详细]

小广播

热搜元器件