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1N4007

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小92KB,共3页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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1N4007概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4007规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流1 A

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MOSPEC
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 TO 1000 Volts Current 1 Ampere
FEATURES
*Low
cost construction
*Low
forward voltage drop
*Low
reverse leakage
*High
forward surge current capability
*High
temperature soldering guaranteed
260℃/10 seconds, 0.375”(9.5 mm) lead length
at 5 lbs(2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
*Case:Transfer
Molded Plastic
*Epoxy:
UL94V-O rate flame retardant
*Terminals:Solderable
Per MIL-STD-202 Method 208
*Polarity:Color
band denotes cathode end
*Mounting
position: Any
*Weight:
0.012 ounce. 0.33 gram (approx)
1N4001 THRU 1N4007
DO-41
DIM
A
B
C
D
MILLIMETERS
MIN
2.00
25.40
4.20
0.70
MAX
2.70
---
5.20
0.90
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARATERISTICS
* Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified
* Single phase,half wave. 60Hz, resistive or inductive load.
* For capacitive load derate current by 20 %
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectifier Forward Current
Per Leg
T
C
=125℃
Non-Repetitive Peak Surge Current (Surge
applied at rate load conditions halfware,
single phase, 60Hz)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
( I
F
=1.0 Amp T
C
= 25℃)
Maximum Instantaneous Reverse Current
( Rated DC Voltage, T
C
= 25℃)
( Rated DC Voltage, T
C
= 100℃)
Typical Junction Capacitance
(Reverse Voltage of 4 volts & f=1 MHz)
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
j
R
θ
jA
T
J
, T
stg
50
100
200
400
600
800
1000
Unit
V
35
70
140
280
1.0
30
1.1
5.0
50
15
50
-65 to +175
420
560
700
V
A
A
V
uA
pF
℃/W
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