Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5243D-35

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1N5243D-35: 产品描述Zener Diode, 13V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小87KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N5243D-35概述

Zener Diode, 13V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N5243D-35规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-35
包装说明	O-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
标称参考电压	13 V
表面贴装	NO
技术	ZENER
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	20%
工作测试电流	9.5 mA
Base Number Matches	1

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DATA SHEET

1N5221B~1N5267B

SILICON ZENER DIODES

VOLTAGE

2.4 to 75 Volts

POWER

500 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass DO-35

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.13 grams

• Mounting Position: Any

• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package

• Packing information

- 2K per Bulk box

T/R - 10K per 13" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

P ar m et r

P ow erD i si aton atTam b = 25

s p i

Juncton Tem per t r

aue

S t r ge Tem per t r R ange

aue

Vald pr vi ed t atl ads ata di t nce of8m m fom case ar keptatam bi ntt m per t r .

i o d

h e

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S ym bol

Val e

500

175

- 5 t +175

6 o

U nis

TO T

Parameter

Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r

Forward Voltage at I

= 200mA

Symbol

Mi n.

Typ.

Max.

0.3*

1.1

Uni ts

K/mW

Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperature.

STAD-NOV.08.2006

PAGE . 1

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