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SBM2060VCT

产品描述ProductStatus:Active, VRRM Max.(A):60, IF(A):20, IFSM(V):150, VF Max.(A):0.57, @IF(µA):10, IR Max.(V):220, @VR:60, Package:TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBM2060VCT概述

ProductStatus:Active, VRRM Max.(A):60, IF(A):20, IFSM(V):150, VF Max.(A):0.57, @IF(µA):10, IR Max.(V):220, @VR:60, Package:TO-220AB

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SBM2060VCT
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
60 Volts
CURRENT
20 Amperes
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AB, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight : 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Typical junction capacitance (V
R
=4V, f=1MHz)
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
( No te 1 )
per device
per diode
per diode
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
C
J
R
JC
T
J
T
STG
VALUE
60
42
60
20
10
150
480
1.5
-55 to + 150
-55 to + 150
UNIT
V
V
V
A
A
pF
O
C /W
o
C
C
o
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.
May 3,2013-REV.00
PAGE . 1
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