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PJSD05LCTM-AU_S1_10001

产品描述BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE
文件大小182KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05LCTM-AU_S1_10001概述

BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE

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PJSD05LCTM-AU
BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE
This Penta has been designed to Protect Sensitive Equipment against ESD and to prevent Latch-Up
events in CMOS circuitry operating at 5Vdc and below.This offers an integrated solution to protect up to
data line where the board space is a premium.
SPECIFICATION FEATURES
• 25W Power Dippsipation (8/20s Waveform)
• Low Leakage Current, Maximum of 1
A@5Vdc
• Very low Clamping voltage
• IEC 61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
• Acqire quality system certificate : TS16949
• AEC-Q101 qualified
APPLICATIONS
• Video I/O ports protection
• Set Top Boxes
• Portable Instrumentation
MECHANICAL DATA
• Case : SOD-923, Plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight : 0.0004gram
• Marking : X
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Pulse Power (8/20
s
Waveform)
Peak Pulse Current (8/20
s
Waveform)
ESD Voltage (HBM)
O p e ra t i ng J unc t i o n a nd S t o r a g e Te mp e r a t ur e Ra ng e
Symbol
Value
25
2
>25
-55 to +150
Units
W
A
kV
O
P
PP
I
PP
V
ESD
T
J
, T
S TG
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C)
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (8/20s)
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
WRM
V
BR
I
R
V
C
C
J
I
BR
=1mA
V
R
=5V
I
PP
=2A
0 Vdc Bias f=1MHz
Conditions
Min.
-
5.78
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
5.0
7.82
1.0
12.5
15
Units
V
V
A
V
pF
February 2,2013-REV.03
PAGE . 1
用89C51的GATE位测量脉冲宽度
待测信号由P3.2接入,待测信号脉宽取5ms~50ms,脉宽值显示在数码管(共阳数码管)上,显示单位为ms.求... 本帖最后由 寒雪剑91 于 2012-5-1 23:22 编辑 ]...
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