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PJGBLC15C-AU_R1_00001

产品描述ULTRA LOW CAPACITANCE TVS ARRAY
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJGBLC15C-AU_R1_00001概述

ULTRA LOW CAPACITANCE TVS ARRAY

PJGBLC15C-AU_R1_00001规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压19.22 V
最小击穿电压17.39 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散350 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
参考标准AEC-Q101; IEC-61000-4-2; TS 16949
最大重复峰值反向电压15 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

PJGBLC15C-AU_R1_00001文档预览

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PJGBLC15C-AU PJGBLC24C-AU
ULTRA LOW CAPACITANCE TVS ARRAY
VOLTAGE
FEATURES
• IEC 61000-4-2 +15kV air, +8kV Contact
• Replacement for MLV (0805)
• Protects One Power or I/O Port
• Low Clamping Voltage
• Ultra Low Capacitance : 3pF Maximum
• Acqire quality system certificate : TS16949
• AEC-Q101 qualified
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.078(1.95)
0.068(1.75)
15~24 Volts
POWER
350 Watts
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.036(0.90)
0.027(0.70)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.012(0.30)MIN.
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-323,Molded plastic over passivated junction
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0041 grams
MAXIMUM RATINGS (@25°C unless otherwise specified)
Parameter
Peak Pulse Power (t
P
=8/20s)-See Figure 1
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
T
J
,T
STG
Value
350
-55 to +150
Units
Watts
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LINE (@25°C unless otherwise specified)
Off-State
Capacitance,
1MHz Zero dc
Bias
0V @1MHz
V
RW M
Ma x.
W
PJGBLC15C-AU
PJGBLC24C-AU
350
350
V
15
24
Mi n.
V
17.39
27.27
V
BR
@ I
Max.
V
19.22
30.14
T
Part Number
(See Notes1-2)
P ea k P o wer
D i s si p ati o n
@8 /2 0s
P
PPM
Ra te d -S ta nd -
Off Vo ltag e
Re verse B rea kd own Vo ltag e
Maximum Clamping
Voltage (See Fig.2)
@8 /20
s
P
P P M
Leakage
Current
I
R
@ V
RWM
Marking
Code
I
V
C
@I
T
C
O
Ma x.
PP
Ma x.
A
1
1
A
1
1
mA
1
1
V
24
43
pF
3
3
AN
AP
BIDIRECTIONAL
August 6,2013
Document Number : 130315
PAGE . 1
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