电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

PH5330E

产品描述N-channel TrenchMOS logic level FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小195KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

PH5330E概述

N-channel TrenchMOS logic level FET

PH5330E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SFM
包装说明PLASTIC, MO-235, LFPAK-4
针数235
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)130 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)80 A
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.0085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-235
JESD-30 代码R-PSSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)250 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

开源项目推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 730  785  860  1570  1618 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved