ESD protection diodes in a SOD882 package
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | DFN |
| 包装说明 | R-PBCC-N2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 最大击穿电压 | 6 V |
| 最小击穿电压 | 5.2 V |
| 击穿电压标称值 | 5.6 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 150 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| Base Number Matches | 1 |
| PESD3V3S1UL | PESD3V3S1UL-315 | PESD12VS1UL | PESD15VS1UL | PESD24VS1UL | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | ESD protection diodes in a SOD882 package | Unidirectional ESD protection diodes Rev. 3 â 25 October 2011 | ESD protection diodes in a SOD882 package | ESD protection diodes in a SOD882 package | ESD protection diodes in a SOD882 package |
| 是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | DFN | - | DFN | DFN | DFN |
| 包装说明 | R-PBCC-N2 | - | R-PBCC-N2 | R-PBCC-N2 | R-PBCC-N2 |
| 针数 | 2 | - | 2 | 2 | 2 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW LEAKAGE CURRENT | - | LOW LEAKAGE CURRENT | LOW LEAKAGE CURRENT | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 最大击穿电压 | 6 V | - | 15.3 V | 18.4 V | 27.5 V |
| 最小击穿电压 | 5.2 V | - | 14.7 V | 17.6 V | 26.5 V |
| 击穿电压标称值 | 5.6 V | - | 15 V | 18 V | 27 V |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | - | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N2 | - | R-PBCC-N2 | R-PBCC-N2 | R-PBCC-N2 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 150 W | - | 150 W | 150 W | 150 W |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | - | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | - | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | 260 | 260 | 260 |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL | - | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 3.3 V | - | 12 V | 15 V | 24 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES |
| 技术 | AVALANCHE | - | AVALANCHE | AVALANCHE | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | 30 | 30 | 30 |
| 厂商名称 | - | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
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