HB1111V-W,HB1111V-W pdf中文资料,HB1111V-W引脚图,HB1111V-W电路-Datasheet-电子工程世界

电子工程世界电子工程世界

Datasheet

Datasheet> 器件分类 > 连接器> 连接器> HB1111V-W

PDF数据手册

HB1111V-W: 产品描述Board Connector, 11 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, White Insulator, Receptacle; 产品类别连接器连接器; 文件大小58KB，共2页; 制造商富士康(FOXCONN); 官网地址http://www.fit-foxconn.com/

下载文档详细参数全文预览

HB1111V-W概述

Board Connector, 11 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, White Insulator, Receptacle

HB1111V-W规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	富士康(FOXCONN)
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	ROHS COMPLIANT
主体宽度	0.097 inch
主体深度	0.1 inch
主体长度	1.09 inch
主体/外壳类型	RECEPTACLE
连接器类型	BOARD CONNECTOR
联系完成配合	AU
触点性别	MALE
触点材料	COPPER ALLOY
触点模式	RECTANGULAR
触点样式	SQ PIN-SKT
介电耐压	500VAC V
绝缘电阻	1000000000 Ω
绝缘体颜色	WHITE
绝缘体材料	NYLON
制造商序列号	HB11
插接触点节距	0.1 inch
安装方式	STRAIGHT
安装类型	BOARD
连接器数	ONE
PCB行数	1
装载的行数	1
最高工作温度	105 °C
最低工作温度	-55 °C
PCB接触模式	RECTANGULAR
电镀厚度	15u inch
额定电流（信号）	3 A
参考标准	UL
可靠性	COMMERCIAL
端子长度	0.085 inch
端子节距	2.54 mm
端接类型	SOLDER
触点总数	11

推荐资源

过零检测电路

采样保持电路图

用电话机兼作开关灯电路

NE555构成的稳定可调节的负输出电压的电路图

555变音调音响电路

触发器的相互转换

三星A8内核，内置3G模块平板电脑使用心得: 我是个购物达人，三天两头的会在各类商场网店上闲逛，看看想买的和不想买的东西，尤其是喜欢促销的和特价的产品！元旦期间淘宝网上搜索促销产品，看到一款平板电脑元旦大促销，还赠送皮套，价格挺实在的！点击打开仔细看了下，产品介绍、图片及功能等都还不错。尤其是那视频跟产品图片特吸引我，视频的音乐及场景切换让人耳目一新；图片处理的很精致！当然，这些都是网页上表面处理的现象，买东西还得看它是否物美价廉。对比了一...; xiyou 嵌入式系统

三极管替换: 各位，N管KTC4373，SOT-89封装用什么可以替代?急...; 小白求科普分立器件

获取CPU采用Big-ending或者Little-ending的方法: int chekCPU(){union w{int a;char b;} c;c.b=1;return (c.b == 1 );//主要是这句}我已经了解union的存放顺序是所有成员都从低地址开始存放，但这句 c.b == 1 应该怎样理解？...; wwwwwwx 嵌入式系统

基于Hercules的踏板控制器DIY（三）：规格书学习及硬件资源确认: [align=left]规格书学习[/align][align=left]部分特性描述摘要[/align][align=left]供电[/align][align=left]存储[/align][align=left][/align][align=left]GPIO[/align][align=left][/align][align=left]中断和定时器[/align][align=left]芯...; tziang 微控制器 MCU

具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计: 氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可以用更少的器件更有效地转换更高水平的功率，如图1所示。GaN半导体能够在交流/直流供电应用，实...; alan000345 模拟与混合信号

【平头哥Sipeed LicheeRV 86 Panel测评】- 3 Waft开发环境的建立: [i=s] 本帖最后由我爱下载于 2022-3-16 10:00 编辑 [/i]Waft开发环境的建立1、waft介绍再阿里云网站中，包含Waft的介绍。Waft（WebAssembly Framework for Things) 是一个面向 AIoT 的高性能应用研发框架，Waft基于 WebAssembly 和自研的渲染引擎技术打造，适用于智能终端的软件应用研发场景。它的特点网站从框架特性...; 我爱下载国产芯片交流

小广播

热搜元器件

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

About Us 关于我们客户服务联系方式器件索引网站地图最新更新手机版

站点相关：国产芯大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved