-30V -2A 350mW P沟道增强型 MOSFET
功能特点
SSC8033GS6 -30V -2A 350mW P沟道增强型 MOSFET
P沟道增强型
Vds:-30V
Vgs:20V
Id:-2A
Rds(on):75mΩ@Vgs=10V
Rds(on):90mΩ@Vgs=4.5V
Pd:350mW
封装形式:SOT23
典型应用:负载开关
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