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PDM6T20V3

产品描述PDM6T20V3 N+P沟道 MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小569KB,共7页
制造商上海芯导(Prisemi)
官网地址http://www.prisemi.com/

上海芯导电子科技有限公司坐落于张江高科技园区,是一家专门致力于集成电路芯片研发、设计、销售的高新技术企业。

芯导电子积极致力于半导体功率器件、高端集成电路芯片的技术攻关。公司连续多年科研投入增长超过70%,并建立了国内一流的实验室,承担多项上海及国家级科研项目。

为您提供卓越的产品、卓越的品质、卓越的服务是芯导电子的不变追求。多年来,芯导电子一直秉承以用户需求为核心,在专注国内市场开拓的同时,积极拓展海外市场,目前产品已远销美国、日本、韩国、东南亚等国家与地区。芯导电子以高质量的产品、一流的服务赢得了众多客户的信赖和好评,树立起公司良好的品牌形象。

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PDM6T20V3概述

PDM6T20V3 N+P沟道 MOSFET

参数指标

N:


• VDS(V):20 V


• VGS(V):8 V


• ID(A):3A


• RDS@VGS=10V(mΩ):-- mΩ


• RDS@VGS=4.5V(mΩ):60mΩ


• RDS@VGS=2.5V(mΩ):115 mΩ


• VGS(th)(V)min:0.6 V


• VGS(th)(V)typ:0.8 V


• VGS(th)(V)max:1.2 V


P:


• VDS(V):-20 V


• VGS(V):-8 V


• ID(A):-2.8A


• RDS@VGS=10V(mΩ):-- mΩ


• RDS@VGS=4.5V(mΩ):110mΩ


• RDS@VGS=2.5V(mΩ):115 mΩ


• VGS(th)(V)min:-0.45 V


• VGS(th)(V)typ:-0.7 V


• VGS(th)(V)max:-0.9 V


• Package:SOT-23-6

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