科达半导体有限公司是由科达集团(股票代码:600986)投资成立的高新技术企业,注册时间2007年10月,地处山东省东营市经济开发区,注册资金5000万元,主要从事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半导体器件( 电力电子器件)的设计、生产和销售。公司在深圳、上海、浙江、成都、香港等地区均设有销售中心。
科达半导体是国内第一家拥有自主知识产权的IGBT、FRD芯片制造企业。公司拥有国内一流的设计研发团队,所设计研发的IGBT及FRD产品填补国内空白。公司拥有省级设计中心,省级功率半导体工程中心,并配有功能齐全的性能测试实验室和可靠性实验室。公司产品广泛应用于电磁炉、小功率变频器、逆变焊机、无刷马达控制器、UPS、开关电源、液晶电视及显示器、太阳能应用等领域。
科达半导体有限公司秉承“客户导向,创新驱动”的经营理念,愿与各位同仁及企业精诚合作,共同开创中国功率半导体事业的辉煌明天。
N-Channel MOSFET Preliminary
功能特点
产品名称:N-Channel MOSFET Preliminary
产品型号:KDF630P
产品描述:
200V,9.3A,Rds(on)(typ)=0.3ù@Vgs=10V
High Ruggedness
Fast Switching
Improved dv/dt Capability
参数:
配置:Single-N
VDSS(漏源电压):200V
Vgs(栅源电压):+-30V
IDS(漏源电流):9A 25 C
6A 100 C
RDS(on)(导通状态的漏源阻值):300mΩ 当VGS=10V时
VGS(th)(栅极临界电压):2~4V
封装:TO-220
热搜元器件
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