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KDF630P

产品描述N-Channel MOSFET Preliminary
产品类别分立半导体   
文件大小273KB,共4页
制造商科达半导体(KEDA)
官网地址http://www.kedasemi.com/

科达半导体有限公司是由科达集团(股票代码:600986)投资成立的高新技术企业,注册时间2007年10月,地处山东省东营市经济开发区,注册资金5000万元,主要从事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半导体器件( 电力电子器件)的设计、生产和销售。公司在深圳、上海、浙江、成都、香港等地区均设有销售中心。

科达半导体是国内第一家拥有自主知识产权的IGBT、FRD芯片制造企业。公司拥有国内一流的设计研发团队,所设计研发的IGBT及FRD产品填补国内空白。公司拥有省级设计中心,省级功率半导体工程中心,并配有功能齐全的性能测试实验室和可靠性实验室。公司产品广泛应用于电磁炉、小功率变频器、逆变焊机、无刷马达控制器、UPS、开关电源、液晶电视及显示器、太阳能应用等领域。

科达半导体有限公司秉承“客户导向,创新驱动”的经营理念,愿与各位同仁及企业精诚合作,共同开创中国功率半导体事业的辉煌明天。

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KDF630P概述

N-Channel MOSFET Preliminary

功能特点

产品名称:N-Channel MOSFET Preliminary


产品型号:KDF630P


产品描述:


200V,9.3A,Rds(on)(typ)=0.3ù@Vgs=10V


High Ruggedness


Fast Switching


Improved dv/dt Capability




参数:


配置:Single-N


VDSS(漏源电压):200V


Vgs(栅源电压):+-30V


IDS(漏源电流):9A 25 C


6A 100 C


RDS(on)(导通状态的漏源阻值):300mΩ 当VGS=10V时


VGS(th)(栅极临界电压):2~4V


封装:TO-220



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