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H02N60J: 产品描述600V 2A N沟道功率场效应晶体管; 产品类别分立半导体; 文件大小86KB，共7页; 制造商台湾华昕(HSMC)

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H02N60J概述

600V 2A N沟道功率场效应晶体管

功能特点

产品名称：600V 2A N沟道功率场效应晶体管

N-Channel Power Field Effect Transistor

产品型号：H02N60J

产品描述：

The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional and safety margin against unexpected voltage transients.

产品特征：

Robust High Voltage Termination

Avalanc he Energy Specified

Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

IDSS and VDSS（ON） Specified at Elevated Temperature

参数：

Channel 频道: N

VDSS 电压：600V

ID 电流: 2A

VGS 启动电压: ±30V

RDS（on）Max.导通电阻：4.4ohm

RDS(on) @VGS : 10V

RDS(on) @ID：1A

ROSH ：PF（无铅）

Package：TO-252

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