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FTP10N60: 产品描述600V N沟道MOS场效应管; 产品类别分立半导体; 文件大小570KB，共11页; 制造商成都方舟(Arkmicro); 官网地址http://www.ark-micro.com/; 成都方舟微电子有限公司（ARK Microelectronics Co., Ltd.）是一家专业从事功率半导体器件开发和销售的无晶圆厂设计公司(Fabless Design House)。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售，包括功率Trench MOS，VDMOS，IGBT、肖特基二极管和功率集成电路等，其产品主要应用于功率管理领域。当前方舟微电子的目标市场为消费电子、信息技术、工业电子、汽车电子和家用电器等。

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FTP10N60概述

600V N沟道MOS场效应管

功能特点

产品名称：600V N沟道MOS场效应管

产品型号：FTP10N60

产品描述：

Low ON Resistance

Low Gate Charge

Fast Switching

100% Avalanche Tested

RoHS Compliant

Halogen-free available

参数：

击穿电压：600V

额定电流：10A

导通电阻最大值：0.75Ω

封装：TO-220

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FTP10N60/FTA10N60

600V N

沟道

MOS

场效应管

产品特点

½的导通电阻

½的栅极电荷(典型值为54nC)

开关速度快

100%雪崩测试

符合RoHS标准/无铅封装

DSS

600V

DS(ON)

(Max.)

0.75Ω

10.0A

产品应用

高效开关电源

适配器/充电器

有源功率因数校正

液晶面板电源

订购代码

器件型号

FTP10N60

FTA10N60

封装½式

TO-220

TO-220F

标识

FTP10N60

FTA10N60

除非另有说明，均指T

=25℃

极限值

符号

DSS

@100℃

dv/dt

和T

STG

参数描述

漏极-源极电压

[1]

漏极电流连续值（T

=25℃）

漏极电流连续值（T

=100℃）

漏极电流脉冲值

[2]

功耗（T

=25℃）

功耗降额因子（T

﹥25℃）

栅极-源极电压

单脉冲雪崩½量

L=12mH, I

=10A

二极管反向恢复dv/dt尖峰值

[3]

焊接温度

(距离管壳1.6mm处，10秒)

结温和储存温度

FTP10N60

600

10.0

FTA10N60

10.0*

单½

Figure 3

Figure 6

156

1.25

±30

600

4.5

300

0.4

W/℃

V/ns

℃

-55 to 150

*漏极电流受最高结温的限制。

注意：½加的电的或热的应力大于“极限值”表中所列参数值，可½导致器件永久的损坏。

热特性

符号

θJC

θJA

结-管壳热阻

结-环境热阻

www.ark-micro.com

1/11

参数描述

FTP10N60

0.8

FTA10N60

2.5

单½

℃/W

成½方舟微电子有限公司

2009.03

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