FTP05N50/FTA05N50
500V N
沟道
MOS
场效应管
产品名称
½的导通电阻
½的栅极电荷(典型值为20.6nC)
开关速度快
100%雪崩测试
符合RoHS 标准/无铅封装
BV
DSS
500V
R
DS(ON)
(Max.)
1.35Ω
I
D
4.5A
产品应用
高效率开关电源
适配器/充电器
有源功率因数校正
液晶面板电源
订购代码
器件名称
FTP05N50
FTA05N50
封装½式
TO-220
TO-220F
标识
FTP05N50
FTA05N50
除非另有说明，均指T
C
=25℃
极限值
符号
V
DSS
I
D
I
D
@100℃
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
dv/dt
T
L
T
J
和T
STG
参数描述
漏极-源极电压
[1]
漏极电流连续值（
T
C
=25℃
）
漏极电流连续值（
T
C
=100℃
）
漏极电流脉冲值
[2]
功耗（
T
C
=25℃
）
功耗减额因子（
T
C
﹥25℃
）
栅极-源极电压
单脉冲雪崩½量
L=12mH, I
D
=4.5A
二极管反向恢复dv/dt尖峰值
[3]
焊接温度
(距离管壳1.6mm处，10秒)
结温和储存温度
FTP05N50
500
4.5
FTA05N50
4.5*
单½
V
A
Figure 3
Figure 6
95
0.76
±30
120
4.5
300
25
0.2
W
W/℃
V
mJ
V/ns
℃
-55 to 150
*漏极电流受最高结温的限制。
注意：½加的电的或热的应力大于“极限值”表中所列参数值，可½导致器件永久的损坏。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
结-管壳热阻
结-环境热阻
参数描述
FTP05N50
1.32
60
FTA05N50
5.0
60
单½
℃/W
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电特性
关断特性
符号
BV
DSS
△BV
DSS
/△T
J
I
DSS
I
GSS
参数描述
漏极-源极击穿电压
击穿电压温度系数
最小值
500
--
--
漏极-源极泄漏电流
--
--
--
典型值
--
0.6
--
--
--
--
最大值
--
--
12
100
100
-100
µA
除非另有说明，均指T
C
=25℃
单½
V
V/℃
测试条件
V
GS
=0V, I
D
=250µA
以25℃为参考,
I
D
=250µA
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=400V, V
GS
=0V,
T
C
=125℃
V
GS
=+30V
V
GS
=-30V
栅极-源极泄漏电流
nA
导通特性
符号
R
DS(ON)
V
GS(TH)
gfs
参数描述
漏极-源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
最小值
--
2.0
--
典型值
1.14
--
4.8
最大值
1.35
4.0
--
除非另有说明，
均指T
C
=25℃
单½
Ω
V
S
测试条件
V
GS
=10V, I
D
=2.7A
[4]
V
DS
= V
GS
, I
D
=250µA
V
DS
=15V, I
D
=4.5A
[4]
基本上与工½温度无关
动态特性
符号
C
ISS
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极总电荷
栅极-源极电荷
栅极-漏极（密勒）电荷
参数描述
最小值
--
--
--
--
--
--
典型值
685
62
13
20.6
2
7.7
最大值
--
--
--
--
--
--
nC
pF
单½
测试条件
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MH
Z
Figure 14
V
DD
=250V
I
D
=4.5A
Figure 15
开关特性
符号
t
d(ON)
t
rise
t
d(OFF)
t
fall
参数描述
开启延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
最小值
--
--
--
--
典型值
18
51
46
36
最大值
--
--
--
--
单½
基本上与工½温度无关
测试条件
V
DD
=250V
I
D
=4.5A
V
GS
=10V
R
G
=20Ω
ns
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½二极管特性
符号
I
SD
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数描述
½二极管连续电流
½二极管最大脉冲电流
½二极管正向压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
255
1200
最大值
4.5
18
1.2
--
--
除非另有说明，
均指T
C
=25℃
单½
A
A
V
ns
nC
测试条件
Integral P-N diode in
MOSFET
I
S
=4.5A, V
GS
=0V
V
GS
=0V
I
F
=4.5A,di/dt=100A/µs
注意：
[1] T
J
=+25℃ to +150℃
[2]
重复性极限值，脉冲½度受最高结温限制
[3] I
SD
=4.5A, di/dt
≤
100A/µs, V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
=+150℃
[4]
脉冲½度
≤
380µs;
占空比
≤
2%.
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Figure 1. Maximum Effective Thermal Impedance, Junction-to-Case
1
Impedance(Normalized)
50%
20%
10%
5%
2%
1%
single pulse
Z
θJC
, Thermal
0.1
0.01
0.001
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
t
P
, Rectangular Pulse Duration(s)
1.0E+00
1.0E+01
100
90
P
D
, Power Dissipation (W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
Figure 2. Maximum Power Dissipation vs. Case
Temperature
7.0
6.0
I
D
, Drain Current (A)
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
Figure 3. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
50
75
100
125
T
C
, Case Temperature (℃)
150
25
50
75
100
125
T
C
, Case Temperature (℃)
150
Figure 4. Typical Output Characteristics
22
20
18
I
D
, Drain Current(A)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
V
DS
, Drain-to-Source Voltage(V)
VGS=4.5V
VGS=4.0V
VGS=5.0V
VGS=5.5V
VGS=15V
VGS=10
V
VGS=6.5V
4
RDS(ON), Drain-to-Source ON
Resistance(Ohm)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
4
Figure 5. Typical Drain-to-Source ON Resistance
vs. Gate Voltage and Drain Current
ID=2.25A
ID=4.5A
50
6
8
10
12
14
16
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
18
20
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Figure 6. Maximum Peak Current Capability
100
I
DM
, Peak Current(A)
Transconductance may limit current in this region
10
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
P
, Pulse Width(s)
0.1
1
10
Figure 7. Typical Transfer Characteristics
14
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
12
I
AS
, Avalanche Current(A)
10
25
℃
-55
℃
Figure 8. Unclamped Inductive Switching Capability
100
10
Starting TJ=25
℃
8
6
150
℃
1
Starting TJ=150
℃
4
2
0
3
4
5
6
7
V
GS
, Gate-to-Source Voltage,(V)
8
0.1
0.01
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
t
AV
, Time in Avalanche(s)
1.E-01
Figure 9. Typical Drain-to-Source ON Resistance
1.5
R
DS(ON)
, Drain-to-Source Resistance
2.4
2.2
2.0
1.8
(Normalized)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
I
D
, Drain Current(A)
6
8
Figure 10. Typical Drain-to-Source On Resistance
vs. Junction Temperature
R
DS(ON)
, Drain-to-Source ON
1.4
Resistance(Ohm)
1.3
VGS=10V
1.2
VGS=20V
1.1
1
-75
-50
-25
0
25
50
75 100
T
J
, Junction Temperature (℃)
125
150
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