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HT882

产品描述30V 3A NPN外延平面晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小49KB,共5页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HT882概述

30V 3A NPN外延平面晶体管

功能特点

产品名称:30V 3A NPN外延平面晶体管


产品型号:HT882


产品说明:


The HT882 is designed for use in output stage of 1w audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver.



参数:


Type: NPN


BVCEO: 30V


IC: 3A


PD: 10W


hFE: MIN 100


hFE: Max. 500


VCE(sat): Max. 0.5V


RoHS: PF(无铅)


Package: TO-126


HT882文档预览

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HT200205
Issued Date : 1993.05.15
Revised Date : 2005.12.02
Page No. : 1/5
HT882
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HT882 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and relay driver.
TO-126
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25°C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25°C) ...................................................................................................................... 1 W
Total Power Dissipation (T
C
=25°C) .................................................................................................................... 10 W
Maximum Voltages and Currents
BV
CBO
Collector to Base Voltage......................................................................................................................... 40 V
BV
CEO
Collector to Emitter Voltage...................................................................................................................... 30 V
BV
EBO
Emitter to Base Voltage.............................................................................................................................. 5 V
I
C
Collector Current (DC) ....................................................................................................................................... 3 A
I
C
Collector Current (Pulse) .................................................................................................................................... 7 A
I
B
Base Current (DC)........................................................................................................................................... 0.6 A
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE(sat)
*V
BE(sat)
*h
FE1
*h
FE2
f
T
Cob
Min.
40
30
5
-
-
-
-
30
100
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
1
150
200
90
45
Max.
-
-
-
1
1
0.5
2
-
500
-
-
MHz
pF
Unit
V
V
V
uA
uA
V
V
I
C
=100uA
I
C
=1mA
I
E
=10uA
V
CB
=30V
V
EB
=3V
I
C
=2A, I
B
=0.2A
I
C
=2A, I
B
=0.2A
I
C
=20mA, V
CE
=2V
I
C
=1A, V
CE
=2V
I
C
=0.1A, V
CE
=5V
V
CB
=10V, f=1MHz, I
E
=0
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
Classification Of hFE2
Rank
Range
Q
100-200
P
160-320
E
250-500
HT882
HSMC Product Specification
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