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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> CZT2955
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CZT2955

产品描述PNP晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小226KB，共1页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

 

 

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CZT2955概述

PNP晶体管

功能特点

产品名称：PNP晶体管


产品型号：CZT2955



产品参数：


Pcm（最大耗散功率）：1000mW


Ic（集电极电流）：6000mA


BVcbo（集电极-基极击穿电压）：100V


BVceo（集电极-发射极击穿电压）：60V


BVebo（发射极-基极击穿电压）：7V


hFE（电流放大倍数）：Min：20，Max：70


VCE（sat）饱和压降：1.1V


fT（过渡频率）：2.5MHz



封装：SOT-223

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-223
CZT2955
FEATURES
TRANSISTOR (PNP)
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
High Current
Low Voltage
Complement to CZT3055
Surface Mounted Power Amplifier Application
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Thermal Resistance From Junction To Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-100
-60
-7
-6
1
125
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
W
℃/W
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CER
I
CEO
I
CEV
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE(sat)
V
BE
f
T
Test conditions
I
C
=-30mA,I
B
=0
I
C
=-30mA,R
BE
=100Ω
V
CE
=-30V,I
B
=0
V
CE
=-100V,V
EB
=-1.5V
V
EB
=-7V,I
C
=0
V
CE
=-4V, I
C
=-4A
V
CE
=-4V, I
C
=-6A
I
C
=-4A,I
B
=-400mA
V
CE
=-4V, I
C
=-4A
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA, f=1MHz
2.5
20
5
-1.1
-1.5
V
V
MHz
Min
-60
-70
-700
-1
-5
70
Typ
Max
Unit
V
V
μA
mA
mA
A,Nov,2010

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