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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 3DK13002L

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3DK13002L: 产品描述硅NPN大功率开关晶体管; 产品类别分立半导体; 文件大小115KB，共2页; 制造商扬州中芯晶来半导体

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3DK13002L概述

硅NPN大功率开关晶体管

功能特点

产品名称：硅NPN大功率开关晶体管

产品型号：3DK13002L

产品用途：

主要用于节能灯、日光灯电子镇流器电路及其它开关、振荡电路。

产品数据：

集电极-发射极电压 VCEO：400V

集电极-基极电压VCBO：600V

发射极-基极电压VEBO：9V

直流电流增益hFE：10—40

集电极电流IC：1A

集电极功耗TC=25℃

Ptot：20W

封装： TO-126

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扬州中芯晶来半导½制造有限公司

YANGZHOU GENESIS-JINGLAI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE Co.,LTD

DK13002L

硅

NPN

大功率开关晶½管

■用

途

主要用于节½灯、日光灯电子镇流器电路及其它开关、振荡电路。

■极限参数

项

目

符号

CEO

CBO

EBO

tot

（

）

tot

（

）

stg

极限值

400

600

1.0

1.40

150

-55~+150

单 ½

℃

B CE

■外½结构

集电极-发射极电压

集电极-基极电压

发射极-基极电压

集电极电流

集电极功耗

=25℃

集电极功耗

=25℃

结温

贮存温度

TO-126

■电特性(T

=25℃)

项目

集电极-基极反向电流

发射极-基极反向电流

直流电流增益

集电集-发射极饱和电压

基极-发射极饱和电压

集电极-发射极击穿电压

特征频率

贮存时间

符号

CBO

EBO

CE(sat)

BE(sat)

(BR)CEO

=700 V

=9 V

=5 V,I

=0.1 A

=0.2 A ,

=0.05 A

=0.5 A ,

=0.1 A

=0.2 A ,

=0.05 A

=0.5 A ,

=0.1 A

=1 mA

=5 V,

=0.25 A,

f=1

MHz

=0.25 A（UI9600）

测试条件

参数值

≤0.1

10~40

≤0.5

≤1.0

≤1.2

≥400

≥4

≤3.5

MHz

µs

单½

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