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WSB5546N

产品描述WSB5546N 肖特基二极管
产品类别分立半导体   
文件大小354KB,共3页
制造商韦尔(WILLSEMI)
官网地址http://www.willsemi.com/
上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司,公司成立于2007年5月,总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区,在深圳、中国台湾、香港等地设立办事处。
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WSB5546N概述

WSB5546N 肖特基二极管

参数指标

Product:WSB5546N


Configuration:Schottky Barrier Diode


Channel:1


Reverse Voltage(Repetitive Peak)VRM(V) (Max.):40


Reverse Voltage (DC) VR(V) (Max.):40


RMS Input Voltage VRMS(V) (Max.):-


Average Forward Current IF(AV)(A)(Max.):0.2


Forward Peak Surge Current IFSM(A)(Max.):3


Forward Voltage VF(V)(Typ.):0.51


Forward Voltage VF(V)(Max.):0.6


Reverse Current IR(mA@VR)(Max.):0.001


Junction Capacitance CJ(pF) (Max.):17


Package:DFN1006-2L


Size(mm)(LxW):1.0 x 0.6

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WSB5546N
WSB5546N
0.2A, Schottky Barrier Diode
Http://www.sh-willsemi.com
Features
Low reverse current
0.2A Average rectified forward current
Standard products are Pb-free and Halogen-free
DFN1006-2L
Circuit
Absolute maximum ratings
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Peak forward current
(1)
Junction temperature
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
J
Topr
Tstg
40
40
Marking
Value
Unit
V
V
A
A
O
0.2
3
150
-40 ~ 150
-55 ~ 150
C
C
C
O
O
Electronics characteristics
(T
A
=25
o
C)
Parameter
Forward voltage
(2)
Reverse current
Junction capacitance
Thermal resistance
Order Informations
Device
WSB5546N-2/TR
Package
DFN1006-2L
Marking
M*
(3)
Shipping
10000/Reel&Tape
Symbol
V
F
I
R
C
J
R
θ(j-a)
Condition
I
F
=0.2A
V
R
=10V
V
R
=40V
V
R
=4V, F=1MHz
Junction to ambient
Min.
-
-
-
-
-
Typ.
0.51
-
-
17
-
Max.
0.60
0.5
1
-
500
Unit
V
uA
uA
pF
K/W
Note 1: Pulse Width=8.3ms, Single half-sine Pulse;
Note 2: Pulse Width<380us;
Note 3:* = Month code (A~Z); M = Device code;
Will Semiconductor Ltd.
1
2014/11/21 – Rev. 1.0
高手帮我看看为什么进不了中断
#include <msp430x14x.h> void main(void) { WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; TACTL = TASSEL0 + TACLR; CCTL0 = CCIE; ......
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