VDZ3.6B,VDZ3.6B pdf中文资料,VDZ3.6B引脚图,VDZ3.6B电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> VDZ3.6B

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VDZ3.6B: 产品描述齐纳二极管; 产品类别分立半导体; 文件大小447KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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VDZ3.6B概述

齐纳二极管

功能特点

产品名称：齐纳二极管

产品型号：VDZ3.6B

产品特征：

Ultra small mold type

High reliability

By chip-mounter ,automatic mounting is possible

产品参数：

Pd 耗散功率：100mW

Vz 稳定电压：Nom=3.6V Min=3.6V Max=3.845V

Zzt击穿阻抗：100Ω

Zzk击穿阻抗：1000Ω

IR 反向电流：10uA

Vf 正向压降：0.9V

封装：SOD-723

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-723 Plastic-Encapsulate Diodes

VDZ3.6B-VDZ36B

FEATURES

Ultra small mold type

High reliability

By chip-mounter ,automatic mounting is possible

ZENER DIODE

SOD-723

APPLICATION

Voltage regulation

Maximum Ratings (T

=25

℃

unless otherwise specified)

Characteristic

Forward Voltage

@ I

= 10mA

Symbol

θJA

STG

Value

0.9

100

1250

150

-65 ~ +150

Unit

℃/W

℃

Power Dissipation(Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

Operating Temperature

Storage Temperature

Notes:

1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.

A,Dec,2011

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