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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> RB160M-90

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RB160M-90: 产品描述肖特基二极管; 产品类别分立半导体; 文件大小156KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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RB160M-90概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称：肖特基二极管

产品型号：RB160M-90

产品特征：

Small Power Mold Type

Low Reverse Current

High Reliability

产品参数：

Pd 耗散功率：250mW

Io 整流电流：1000mA

VR 反向工作电压：90V

VF 正向降压：0.73V

IR 反向电流：100uA

Trr 正向恢复时间：

封装：SOD-123

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes

SOD-123

SCHOTTKY BARRIER DIODE

RB160M-90

FEATURES

Small Power Mold Type

Low Reverse Current

High Reliability

APPLICATIONS:

General Rectification

MARKING: 83

MAXIMUM RATINGS ( T

=25

℃

unless otherwise noted )

Symbol

FSM

θJA

stg

Parameter

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current @t<8.3ms

Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

250

500

150

-55~+150

Unit

℃/W

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T

=25

℃

unless otherwise specified)

Parameter

Reverse current

Reverse breakdown voltage

Forward voltage

Symbol

(BR)

=90V

=0.1mA

=1A

0.73

Test conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

μA

A,Jan,2012

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