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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MMBZ5226BW

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MMBZ5226BW: 产品描述齐纳二极管; 产品类别分立半导体; 文件大小840KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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MMBZ5226BW概述

齐纳二极管

功能特点

产品名称：齐纳二极管

产品型号：MMBZ5226BW

产品特征：

Planar Die Construction

200mW Power Dissipation on FR-4 PCB

General purpose, Medium Current

Ideally Suited for Automated Assembly

产品参数：

Pd 耗散功率：200mW

Vz 稳定电压：Nom=3.33V Min=3.14V Max=3.47V

Zzt击穿阻抗：28Ω

Zzk击穿阻抗：1600Ω

IR 反向电流：25uA

Vf 正向压降：0.9V

封装：SOT-323

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-323 Plastic-Encapsulate Diode

SOT- 323

MMBZ5221BW-MMBZ5259BW

FEATURES：

Planar Die Construction

200mW Power Dissipation on FR-4 PCB

General purpose, Medium Current

Ideally Suited for Automated Assembly

Marking: see table on page2 The first code

ZENER DIODE

Maximum Ratings(T

= 25℃ unless otherwise specified)

Characteristic

Forward Voltage @ I

= 10mA

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

Operating and Storage Temperature Range

Symbol

, T

STG

Value

0.9

200

625

-65

+150

Unit

℃/W

℃

A,Jun,2011

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