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MBR3040FCT: 产品描述SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER肖特基整流器; 产品类别分立半导体; 文件大小207KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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MBR3040FCT概述

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER肖特基整流器

功能特点

产品名称：SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER肖特基整流器

产品型号:MBR3040FCT

产品描述：

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for Transient Protection

Low Power Loss,High Efficiency

High Surge Capability

High Current Capability and Low Forward Voltage Drop

For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,Free Wheeling,

and Polarity Protection Applications

参数：

PD（功耗）：2W

Io（平均整流输出电流）：30A

VR（直流闭锁电压）：40V

VF（正向电压）：0.7V

IR（反向电流）：0.2mA

封装：TO-220F

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Diodes

MBR3030, 35, 40, 45, 50FCT

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

FEATURES



Schottky Barrier Chip



Guard Ring Die Construction for Transient Protection



Low Power Loss,High Efficiency



High Surge Capability



High Current Capability and Low Forward Voltage Drop



For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,Free Wheeling,

and Polarity Protection Applications

MAXIMUM RATINGS ( T

=25

℃

unless otherwise noted )

Value

Symbol

Parameter

MBR30

30FCT

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

ΘJA

stg

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

RMS reverse voltage

Average rectified output current

Non-Repetitive peak forward surge current

8.3ms half sine wave

Power dissipation

Thermal resistance from junction to ambient

Junction temperature

Storage temperature

24.5

200

125

-55~+150

31.5

℃/W

℃

MBR30

35FCT

MBR30

40FCT

MBR30

45FCT

MBR30

50FCT

Unit

TO-220F

1. ANODE

2. CATHODE

3. ANODE

A,Nov,2010

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