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GS1M

产品描述SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER 表面贴装玻璃钝化硅整流
产品类别分立半导体   
文件大小278KB,共2页
制造商康比电子(HORNBY)
官网地址http://www.hornby.com.cn/
南通康比电子有限公司,专业制造整流二极管、贴面二极管、硅桥式整流器、MOS管等功率器件。经过二十余载的发展,年生产半导体器件成品零件达60亿只,现已成为集研发、生产、服务于一体的半导体器件供应服务商,为世界各地客户提供半导体零件及相关服务.公司先后通过ISO9001、ISO14001、TS16949、OHSAS18001、UL等国际认证。同时也得到了国际、国内众多知名企业的认可,如海尔、华为、富士康、欧姆龙、冠捷、创维、三星、航嘉、AGASTYA、YUKITA、MERITEK、SUNPOWER等。产品广泛应用于各类消费电子、通讯电子、家电、节能照明、汽车电子、风能、太阳能光伏等行业。新一代节能超低功耗器件已经广泛配套应用于合作伙伴6级能效电源产品;SMD贴片产品采用自动化设备以及外观检测系统,确保产品品质;公司具备核心芯片研发生产能力,可以根据客户的需要定制产品。
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GS1M概述

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER 表面贴装玻璃钝化硅整流

功能特点

产品名称:SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER 表面贴装玻璃钝化硅整流


产品型号:GS1M


产品描述:


Plastic package has Underwriters Laboratory


Flammability Classification 94V-O


? For surface mounted applications


? Low profile package


? Easy pick and place


? Built-in strain relief


? Low forward voltage drop


? High temperature soldering : 250°C /10 seconds at terminals



参数:


Vrrm(最大反向峰值电压):1000V


Io(最大平均正向电流):1A


(最大正向浪涌电流):30A


IF(最大正向电流):1A


VF(最大正向电压):1.1V


IR(反向直流电流):5?A TA=25 C


100??A TA=125 C


Package:DO214-AC(SMA)


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GS1A THRU GS1M
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER
REVERSE VOLTAGE:
FORWARD CURRENT:
FEATURES
· Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
· For surface mounted applications
· Low profile package
· Easy pick and place
· Built-in strain relief
· Low forward voltage drop
· High temperature soldering : 250°C /10 seconds at terminals
DO214-AC(SMA)
50 to 1000 VOLTS
1.0 AMPERE
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic, DO-214AC(SMA)
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
method 2026 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Packaging: 12mm tape per EIA STD RS-481
Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60H
Z
, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
L
=75℃
Peak Forward Surge Current,
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A
Maximum Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
at T
A
=25℃
T
A
=125℃
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
RR
T
J
Tstg
I
FSM
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
GS1A
GS1B
GS1D
GS1G
GS1J
GS1K
GS1M
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
30
1.1
5.0
100
12
28
2.5
-55 to +150
-55 to +150
Amp
Volts
μAmp
pF
℃/W
μS
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES:
1- Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2- Thermal resistance from junction to ambient mounted on P.C.B. with 0.3 x 0.3” (8.0 x 8.0mm) copper pad areas
3- Reverse Recovery Test Conditions:I
F
=.5A,I
R
=1A,I
RR
=.25A.
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