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EDB101

产品描述SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER 单相玻璃钝化硅桥式整流器
产品类别分立半导体   
文件大小144KB,共2页
制造商康比电子(HORNBY)
官网地址http://www.hornby.com.cn/
南通康比电子有限公司,专业制造整流二极管、贴面二极管、硅桥式整流器、MOS管等功率器件。经过二十余载的发展,年生产半导体器件成品零件达60亿只,现已成为集研发、生产、服务于一体的半导体器件供应服务商,为世界各地客户提供半导体零件及相关服务.公司先后通过ISO9001、ISO14001、TS16949、OHSAS18001、UL等国际认证。同时也得到了国际、国内众多知名企业的认可,如海尔、华为、富士康、欧姆龙、冠捷、创维、三星、航嘉、AGASTYA、YUKITA、MERITEK、SUNPOWER等。产品广泛应用于各类消费电子、通讯电子、家电、节能照明、汽车电子、风能、太阳能光伏等行业。新一代节能超低功耗器件已经广泛配套应用于合作伙伴6级能效电源产品;SMD贴片产品采用自动化设备以及外观检测系统,确保产品品质;公司具备核心芯片研发生产能力,可以根据客户的需要定制产品。
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EDB101概述

SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER 单相玻璃钝化硅桥式整流器

功能特点

产品名称:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER 单相玻璃钝化硅桥式整流器


产品型号: EDB101


产品描述:


Plastic material has Underwriters Laboratory


Flammability Classification 94V-0


High surge overload rating of 50 Amperes peak


Ideal for printed circuit board


Glass passivated chip junction



参数:


Vrrm(反向重复峰值电压):50V


I(AV)(平均正向整流电流):1A


(正向浪涌电流):50A


IF(平均正向电流):1A


VF(正向电压):1.05V


IR(反向直流电流):5?A TA=25 C


500??A TA=125 C


Trr(反向恢复时间):50ns


Package:DB-1


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EDB101 THRU EDB106
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON BRIDGE RECTIFIER
REVERSE VOLTAGE:
FORWARD CURRENT:
FEATURES
· Plastic material has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
· High surge overload rating of 50 Amperes peak
· Ideal for printed circuit board
· Superfast recovery times for high efficiency
· Glass passivated chip junction
50 to 400 VOLTS
1.0 AMPERE
DB-1
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic, DB-1
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.02ounce, 0.4gram
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60H
Z
, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current at T
A
=40℃
Peak Forward Surge Current,
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC and 25℃
Maximum Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
at T
A
=25℃
T
A
=125℃
V
F
I
R
C
J
T
RR
R
θJA
R
θJL
T
J
,Tstg
I
FSM
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
EDB101
EDB102
EDB103
EDB104
EDB105
EDB106
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
50
35
50
100
70
100
150
105
150
1.0
200
140
200
300
210
300
400
280
400
50
1.05
5.0
1000
15
50
38
12
-55 to +150
1.25
Amp
Volts
uAmp
pF
nS
℃/W
℃/W
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
NOTES:
1- Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2- Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (13 x 13mm) copper pads
3- Reverse Recovery Test Conditions:I
F
=.5A,I
R
=1A,I
RR
=.25A.
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