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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> DKN222NND03

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DKN222NND03: 产品描述开关二极管; 产品类别分立半导体; 文件大小1MB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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DKN222NND03概述

开关二极管

功能特点

产品名称：开关二极管

产品型号：DKN222NND03

产品特征：

High speed

Suitable for high packing density layout

High reliability

产品应用：

Ultra high speed switching

产品参数：

Pd 耗散功率：150mW

Io 整流电流：100mA

VR 反向工作电压：80V

VF 正向降压：1.2V

IR 反向电流：0.1uA

Trr 正向恢复时间：4ns

封装：WBFBP-03B(1.2×1.2×0.5)

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Diodes

WBFBP-03B

DKN222NND03

DESCRIPTION

Epitaxial planar

silicon

diode

SWITCHING DIODE

(1.2×1.2×0.5)

unit: mm

TOP

1. ANODE

2. ANODE

3.CATHODE

BACK

FEATURES

High speed

Suitable for high packing density layout

High reliability

APPLICATION

Ultra high speed switching

For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,

DVD-ROM, Note book PC, etc.)

MARKING:

+ +

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25

℃

Parameter

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

Maximum (peak) forward current

Average forward current

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

stg

Limit

300

100

150

-55~+150

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

Forward voltage

Diode capacitance

Reverse recovery time

Symbol

(BR)

Test

conditions

Min

0.1

1.2

3.5

Max

Unit

μA

= 100

=70V

=100mA

=6V, f=1MHz

=6V, I

=5mA

A,Jun,2011

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