电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BAL99

产品描述BAL99 开关二极管
产品类别分立半导体   
文件大小2MB,共1页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 全文预览

BAL99概述

BAL99 开关二极管

功能特点

产品名称:开关二极管


产品型号:BAL99


产品特征:


Fast Switching Speed


Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion


For General Purpose Switching Applications


High Conductance

参数指标

Pd 耗散功率 :225mW


Io 整流电流 :100mA


VR 反向工作电压:70V


VF 正向降压:1.25V


IR 反向电流:2.5uA


Trr 正向恢复时间:6ns


封装:SOT-23

BAL99文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
BAL99
SOT-23
SWITCHING DIODE
FEATURES
Fast Switching Speed
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion
For General Purpose Switching Applications
High Conductance
Marking: JF
Maximum Ratings @Ta=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
RM
V
R
I
O
P
D
R
θJA
T
J
T
STG
Value
70
100
225
556
150
-55~+150
-
1
3
2
Unit
V
mA
mW
℃/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Reverse breakdown voltage
Symbol
V
(BR)
I
R
Test
I
R
= 100µA
V
R
=70V
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
conditions
Min
70
Max
Unit
V
Reverse voltage leakage current
2.5
0.715
0.855
1
1.25
1.5
6
µA
Forward voltage
V
F
V
Diode capacitance
Reveres recovery time
C
D
t
rr
V
R
=0, f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA,R
L
=100Ω,
I
rr
=0.1×I
R
pF
nS
A,May,2011
功能强劲的程序编辑器SourceInsight-v3.50.0050
功能强劲的程序编辑器SourceInsight-v3.50.0050 Source Insight是一个功能强劲的程序编辑器,他内置对C/C++,Java和x86汇编语言程序的解析;有自己的动态数据库在你编程时提供有用的文本提示, ......
MCU—杨博 嵌入式系统
CCS无法烧写程序
CCS调试过程中“cannot load from non-primitive location”是什么原因 ...
mw102378 微控制器 MCU
【中科蓝讯AB32VG1 RISC-V板“碰上”RTT测评】定时器PWM模式与舵机应用
本帖最后由 xiyue521 于 2021-5-11 01:12 编辑 1.PWM的配置和函数也不多主要有两个: rt_pwm_set(pwm_dev, PWM_DEV_CHANNEL, period, pulse); rt_pwm_enable(pwm_dev, PWM ......
xiyue521 国产芯片交流
BOOST升压斩波电路输入电压降低
我用稳压源给他供电,输入8V,接到电路中时拉低到2V了,这是什么原因,是MOS管驱动力不足吗...
只因陌路 电源技术
Altium Designer 16软件安装与破解详细图文教程(包成功破解)
今天抽时间写的Altium Designer 16软件安装与破解详细图文教程,全网首发哦,希望大家喜欢,欢迎关注我的新浪微博,更多资料与你分享。(新浪搜索:李崇伟_Randy) 教程下载:235532 ...
小崇伟 PCB设计
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved