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1N5263B

产品描述ZENER DIODES齐纳二极管
产品类别分立半导体   
文件大小128KB,共3页
制造商常州星海(Starsea)
官网地址http://www.czstarsea.cn/

常州星海电子有限公司成立于1990年11月,是一家专业生产各种类型二极管的企业,目前已成为世界级的二极管生产基地之一。公司厂区占地面积56,000平方米,厂房面积35,000平方米。现有员工1200余人,每月产量约880KK,预计2012年销售二极管总量约100亿只,销售额将达5亿人民币。公司拥有5000平方米的现代化办公区域。以及可以进行多种可靠性试验及检测的实验室,面积约为300平方米,配套设施较为齐全。从事研发的科技人员53人,其中科技骨干有25人,品质管理人员60人,高级专家3人,包括与中国电子科技大学合作从事研究的博导、教授5名,外籍专家1名,建有星海院士工作站。近几年来,共完成新产品和技术进步项目三十多项。取得授权专利18项,其中发明专利3项。

公司品种规格齐全,有普通整流(STD系列)、开关(DO-34、DO-35封装)、快速恢复(FR)、高效率(HER、UF)、超快速(SF)、肖特基(SKY)、双向触发管(DB3)、整流桥(MBS、ABSBRIDGE)、高反压(H.V.)以及瞬间突波电压吸收(TVS)、稳压(ZENER)、旁路二极管(PV)、恒流二极管(CRD)、SOD123、SOD323、SMA、SMB、SMC、SOD123FL等各种系列、多种封装形式的二极管,所有产品均符合欧盟的RoHS标准。

公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司近几年通过了ISO9002国际质量标准体系、ISO9001:2008质量管理体系、以及ISO14001环境管理体系认证。并于2008年12月通过了ISO/TS16949:2002认证。

公司自1990年创建投产以来,长期得到国内外客户的信赖和支持,取得了长足的发展。我们将坚持奉行“创一流品质,满足客户需求”的质量方针,竭诚为新老顾客提供优质的服务。
 

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1N5263B概述

ZENER DIODES齐纳二极管

功能特点

产品名称:ZENER DIODES齐纳二极管


产品型号:1N5263B


产品描述:


Low zener impedance


Low regulation factor


Glass passivated junction


High temperature soldering guaranteed:


260 C/10S/9.5mm lead length at 5 lbs tension




参数:


Vz(正常击穿电压):56V 测试电流:2.2mA


Zzt(最大齐纳阻抗):150Ω 测试电流:2.2mA


Zzk :1300Ω 测试电流:0.25mA


IR(反向漏电流):0.1uA 当VR=43V


标准温度系数:+0.096%/C


Pd(功耗):500mW


封装:DO-35

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1N52-SERIES
ZENER DIODES
Zener Voltage:2.4-56V
Peak Pulse Power:500mW
FEATURE
DO-35(GLASS)
Low zener impedance
Low regulation factor
Glass passivated junction
High temperature soldering guaranteed:
260 C/10S/9.5mm lead length at 5 lbs tension
1.0 2(26.0)
MIN.
0.079(2.0)
MAX
0.165 (4.2)
0.138 (3.5)
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC DO-35(GLASS) molded glass body
Terminals:
Plated leads, solderable per MIL-STD 750,
method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.05 ounce,0.14 grams
1.0 2(26.0)
MIN.
0.018(0.45)
TYP
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOLS
VALUE
UNITS
Zener Current see Table Characteristics
Power Dissipation at Tamb=25 C(Note 1)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal resistance junction ambient(Note 1)
Forward voltage at I
F
=200mA
P
tot
T
j
T
STG
R
θJA
V
F
500
200
-65 to + 200
0.3
1.1
mW
C
C
K/mW
V
Note 1: Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature
R
LING JIE
STAR SEA
ELECTRONICS CO.,LTD.
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