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Datasheet> 器件分类 > 电源管理> CJ431(TO-92)
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CJ431(TO-92)

产品描述可调稳压电路
产品类别电源管理   
文件大小612KB，共6页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

 

 

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CJ431(TO-92)概述

可调稳压电路

功能特点

产品名称：可调稳压电路


产品型号：CJ431(TO-92)


产品特征：


The output voltage can be adjusted to 36V


Low dynamic output impedance ,its typical value is 0.2Ω


Trapping current capability is 1 to 100mA


The typical value of the equivalent temperature factor in the


whole temperature scope is 50 ppm/


The effective temperature compensation in the working


range of full temperature


Low output noise voltage


Fast on -state response



产品参数：


Pd 耗散功率 ：770mW


Io 整流电流： 100mA


Vi 输入电压：-


VIROC ：-


VO 输出电压：VREF2.45~2.55V


Iq 静态电流：-



封装：TO-92

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Encapsulate Adjustable Reference Source
CJ431
Adjustable Accurate Reference Source
FEATURES
The output voltage can be adjusted to 36V
Low dynamic output impedance ,its typical value is 0.2Ω
Trapping current capability is 1 to 100mA
The typical value of the equivalent temperature factor in the
whole temperature scope is 50 ppm/
℃
The effective temperature compensation in the working
range of full temperature
Low output noise voltage
Fast on -state response
TO-92
1.REFERENCE
2.ANODE
3.CATHODE
1 2 3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Operating temperature range applies unless otherwise specified)
Parameter
Cathode Voltage
Cathode Current Range (Continuous)
Reference lnput Current Range
Power Dissipation
SYMBOL
V
KA
I
KA
Iref
P
D
R
θJA
Topr
Tstg
VALUE
37
-100-+150
0.05-+10
770
UNITS
V
mA
mA
mW
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Operating temperature
Storage temperature Range
162
0~+70
-65-+150
℃/W
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
Reference lnput Voltage
(Fig.1)
Deviation of reference input Voltage
Over temperature (note)
(Fig.1)
Ratio Of Change in Reference lnput
Voltage to the change in Cathode
Voltage
(Fig.2)
Reference lnput Current
(Fig.2)
Deviation Of Reference lnput Current
Over Full Temperature Range
(Fig.2)
Minimum cathode current for
regulation
(Fig.1)
Off-state cathode Current
(Fig.3)
Dynamic lmpedance
Symbol
V
ref
△
V
ref
/
△
T
Test
conditions
MIN
2.450
TYP
2.5
4.5
-1.0
-0.5
1.5
0.4
0.45
0.05
0.15
MAX
2.550
17
-2.7
-2.0
4
1.2
1.0
1.0
0.5
UNIT
V
mV
mV/V
mV/V
μA
μA
mA
μA
Ω
V
KA
=V
REF
, I
KA
=10mA
V
KA
=V
REF
, I
KA
=10mA
Tmin≤Ta≤Tmax
I
KA
=10mA
△
V
KA
=10V~V
REF
△
V
ref
/
△
V
KA
l
ref
△
l
ref
/
△
T
I
KA(min)
I
KA(OFF)
Z
KA
△V
KA
=36V~10V
I
KA
= 10mA,R
1
=10KΩ
R
2
=∞
l
KA
=10mA, R
1
=10KΩ
R
2
=∞
T
A
=full Temperature
V
KA
=V
REF
V
KA
=36V ,V
REF
=0
V
KA
=V
REF
, l
KA
=1 to 100mA
f≤1.0KHz
Note:T
MIN
=0
℃
,T
MAX
=+70
℃
CLASSIFICATION OF V
ref
Rank
Range
0.5%
2.487-2.513
1%
2.475-2.525
2%
2.450-2.550
C,Jan,2012

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  7. OC086T12C17-80M
  8. 68479-701LF
  9. SP1-020-N191/02-98/2
  10. VVC1-B2E-35M328
  11. ARS-02-LP-24-SG30
  12. 0-1108629-1
  13. WJPA-3A2-C
  14. P-2208D2742DSWP
  15. 0603Y2000330MFR

 
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