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AM9016EZL: 产品描述Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, NMOS, CQCC18, LCC-18; 产品类别存储存储; 文件大小414KB，共10页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com

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AM9016EZL概述

Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, NMOS, CQCC18, LCC-18

AM9016EZL规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCN,
针数	18
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	PAGE
最长访问时间	200 ns
其他特性	RAS ONLY REFRESH
JESD-30 代码	R-CQCC-N18
长度	9.015 mm
内存密度	16384 bi
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	18
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
认证状态	Not Qualified
刷新周期	128
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	NMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	7.305 mm

AM9016EZL相似产品对比

	AM9016EZL	AM9016CZL	AM9016DZL	AM9016EDL	AM9016DDL	AM9016CDL
描述	Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, NMOS, CQCC18, LCC-18	Page Mode DRAM, 16KX1, 300ns, NMOS, CQCC18, LCC-18	Page Mode DRAM, 16KX1, 250ns, NMOS, CQCC18, LCC-18	Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-16	Page Mode DRAM, 16KX1, 250ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-16	Page Mode DRAM, 16KX1, 300ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-16
厂商名称	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)
零件包装代码	LCC	LCC	LCC	DIP	DIP	DIP
包装说明	QCCN,	QCCN,	QCCN,	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3
针数	18	18	18	16	16	16
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	PAGE	PAGE	PAGE	PAGE	PAGE	PAGE
最长访问时间	200 ns	300 ns	250 ns	200 ns	250 ns	300 ns
其他特性	RAS ONLY REFRESH	RAS ONLY REFRESH	RAS ONLY REFRESH	RAS ONLY REFRESH	RAS ONLY REFRESH	RAS ONLY REFRESH
JESD-30 代码	R-CQCC-N18	R-CQCC-N18	R-CQCC-N18	R-CDIP-T16	R-CDIP-T16	R-CDIP-T16
长度	9.015 mm	9.015 mm	9.015 mm	19.43 mm	19.43 mm	19.43 mm
内存密度	16384 bi	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	16	16	16
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN	QCCN	QCCN	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	128	128	128	128	128	128
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	NO	NO	NO
技术	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.305 mm	7.305 mm	7.305 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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