IC41UV4105-70T,IC41UV4105-70T pdf中文资料,IC41UV4105-70T引脚图,IC41UV4105-70T电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IC41UV4105-70T

IC41UV4105-70T: 产品描述Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20; 产品类别存储存储; 文件大小181KB，共17页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

下载文档详细参数选型对比全文预览

IC41UV4105-70T概述

Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20

IC41UV4105-70T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	0.300 INCH, TSOP2-26/20
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G20
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	TSOP20/26,.36
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
电源	2.6 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.8 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

IC41UV4105-70T相似产品对比

	IC41UV4105-70T	IC41UV4105-70J	IC41UV4105-50T	IC41UV4105-100J	IC41UV4105-100T	IC41UV4105-50J
描述	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-26/20	Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20	Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-26/20	Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20	Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-26/20
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	0.300 INCH, TSOP2-26/20	0.300 INCH, SOJ-26/20	0.300 INCH, TSOP2-26/20	0.300 INCH, SOJ-26/20	0.300 INCH, TSOP2-26/20	0.300 INCH, SOJ-26/20
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compli	compli	compli
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns	70 ns	50 ns	100 ns	100 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G20	R-PDSO-J20	R-PDSO-G20	R-PDSO-J20	R-PDSO-G20	R-PDSO-J20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bi	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	20	20	20	20	20	20
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOJ	SOP	SOJ	SOP	SOJ
封装等效代码	TSOP20/26,.36	SOJ20/26,.34	TSOP20/26,.36	SOJ20/26,.34	TSOP20/26,.36	SOJ20/26,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
电源	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A
最大压摆率	0.065 mA	0.065 mA	0.075 mA	0.055 mA	0.055 mA	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
ECCN代码	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99

推荐资源

PCB板布局布线你需要知道的基本规则: [align=left]PCB又被称为印刷电路板(Printed Circuit Board)，它可以实现电子元器件间的线路连接和功能实现，也是电源电路设计中重要的组成部分。今天优客板[font=宋体]就将以本文来介绍[/font]PCB板布局布线的基本规则。一、元件布局基本规则1. 按电路模块进行布局，实现同一功能的相关电路称为一个模块，电路模块中的元件应采用就近集中原则，同时数字电路和模拟电路...; EliBoard PCB设计

关注汽车电器安全性: 汽车用的DVD，导航仪，冰箱，仪表等电器应满足ROHS等检测，重金属不能超标，否则会威胁健康。[align=left][align=left][size=3][font=宋体][size=10.5pt]PONY[/size][/font][font=宋体][size=10.5pt]谱尼测试作为负责起草欧盟RoHS标准的国际电工委员会IEC TC111WG3唯一中方代表单位，参与中国RoHS国家标准...; songbo 汽车电子

msp430中iic的主函数程序请大虾看看对不: void main(void){unsigned char *sdd,*rdd;unsigned char aa[8];unsigned int i,k;WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;for(i=0;i<8;i++){aa[i]=0x50;sdd=aa;Write_Date(0xA0,sdd,8);delay(100);Read_Date(0xA1,rdd,8);delay(100);...; yclsyx 微控制器 MCU

当前Java软件开发中几种认识误区: 越来越多人开始使用Java，但是他们大多数人没有做好足够的思想准备(没有接受OO思想体系相关培训)，以致不能很好驾驭Java项目，甚至导致开发后的Java系统性能缓慢甚至经常当机。很多人觉得这是Java复杂导致，其实根本原因在于:我们原先掌握的关于软件知识(OO方面)不是太贫乏就是不恰当，存在认识上和方法上的误区。　　软件的生命性　　软件是有生命的，这可能是老调重弹了，但是因为它事关分层架构的原由...; songbo 嵌入式系统

学习Hercules 套件资源汇总（软，硬件设计参考）: [align=left]TI推荐HERCULES套件资源[/align][b][color=#525252][font=Arial][size=12pt]Hercules USB[/size][/font][/color][font=宋体][color=#525252][font=Arial][size=12pt]棒[/size][/font][/color][/font][/b][b]Hercu...; 蓝雨夜微控制器 MCU

我想申请此开发板: 这次机会很不错，希望能够得到开发板进行操作。否则到时能去买现成的开发套件了。。。[[i] 本帖最后由 yujiyuan1984 于 2010-4-6 22:31 编辑 [/i]]...; yujiyuan1984 NXP MCU

走向特定领域的EDA

似乎越来越多的公司正在创建自定义 EDA 工具，但尚不清楚这一趋势是否正在加速以及它对主流EDA行业意味着什么。只要有变化，就有机会。变化可能来自新的抽象（abstractions）、新的优化选项（optimization）或强加于工具或流程的新限制。例如，摩尔定律的放缓意味着仅仅通过移动到下一个节点，无法在产品的特定版本之间取得足够的性能、功耗或成本进步。必须改进设计本身，或者重新设计产...[详细]
海派手机设计专利曝光，酷似OPPO Reno升降设计

近日，据外媒Letsgodigital消息，海派手机设计专利曝光，相机方面采用和OPPO Reno类似的弹出相机设计。据Letsgodigital介绍，在2019年6月25日，WIPO（世界知识产权组织）在全球设计数据库公布了一项专利，用于智能手机设计，与OPPO Reno手机的摄像头有很多相似之处。该专利由海派通讯科技有限公司提交的。虽然OPPO Reno的相机更小，更精致，但设...[详细]
6月26-28 号@北京 | 凯云科技即将亮相国防军工展，锁定展位号3009

致力于为航空航天、兵器船舶、通信电子等国防军工以及轨道交通、工业控制、汽车电子等安全关键领域提供一流的“半实物仿真测试及整体解决方案”的凯云联创（北京）科技有限公司（简称：凯云科技），将于6月26日—6月28日携多款主打产品，亮相第十二届中国国际国防电子展。凯云科技诚邀各界新老客户莅临展台指导洽谈，展位号3009。展台效果图凯云科技展位图提前预热展品 01：ET...[详细]
基于STM32战舰开发板的USMART调试组件的使用

USMART调试组件是什么？ USMART是正点原子团队为其STM32开发平台开发的一种类似linux的shell的调试工具。具体工作过程是通过串口发送命令给单片机，然后单片机收到命令之后调用单片机里面对应的相关函数，并执行，同时支持返回结果。 USMART是干什么的？ USMART的功能就是改变了函数参数修改的方式，我们以前总是“修改函数参数- 下载到开发板中执行”，但是使用USMART之...[详细]
比特币矿工自述:朋友有20万比特币还住着60平破房子

“我是福建龙岩人，张一鸣的老家离我家就1公里。我创业的目标就是冲着今日头条去的。现在人家变几百亿美金了，我挺有压力的。” 　　“我们所有的目的就是囤币。只囤币，不敢卖，因为害怕内心承受不了。你今天以1000元的价格出手，明天它就涨到10万元，你怎么办？我们是宁愿吃榨菜也不想卖币，就到了这种境界。” 　　“很多业务砍掉以后，母公司现在变成了投资公司，专门投区块链项目、为全产业链提供金融服务。...[详细]
华为Mate 40E预约页面上线天猫，可望近期发布

华为去年推出了 Mate 40 系列以及 Mate 30E Pro 5G，焕发 Mate 30 系列第二春。　　IT之家曾报道，此前外媒发现了一款 OCE-AN00 的设备通过无线充电认证，具有 6.5 英寸 OLED 屏，分辨率为 2376 x 1080，搭载 2.86GHz 芯片，当时的认证名称显示为 Mate 40E 因此网友猜测或将搭载麒麟 990E 5G 芯片。　　此外，@鹏...[详细]
科幻电影《环太平洋：雷霆再起》中的机器人技术离现实有多远？

热映的电影《环太平洋：雷霆再起》中，机甲战士英勇奋战，展示出“黑科技”的力量，十分吸引眼球。这部电影中有哪些黑科技？现实中的AI技术，离炫酷的科学幻想还有多远？带着这些问题，科技日报记者采访了科普作家、中关村融智特种机器人产业联盟秘书长陈晓东。神经桥联结让人机“通感” 影片中，多位驾驶员凭借神经桥“通感”联结，记忆共享，自如操纵庞大的机甲战士，这种独特的方式在不久的将来能实现...[详细]
未来发动机新技术　可变压缩比技术

图为可变压缩比发动机　　新浪汽车讯近日网上流传PSA集团在日内瓦车展展示了一款搭载新型发动机的407，其搭载的是一款小排量大功率、大扭矩的发动机其优异的性能令人惊叹，但是据笔者在日内瓦车展现场观察这款车并未露面。究其原因可能是该技术并未发展成熟属于在研阶段的新技术。图为可变压缩比发动机，左为14：1压缩比工作状态，右为8：1压缩比工作状态　　据说此款发动机...[详细]
选择低噪声纹波探头需注意的事项

当今大多数电子设计都要求不同的供电电压才能正确运行。事实上，一块电路内部许多元器件都要求多种电压，特别是高度集成的片上系统及多种技术接口在一起的微处理器设计。由于许多因素，执行 DC 低噪声纹波探头测量正变得越来越困难，比如： ●功率效率功能，如功率门和动态电压和频率定标或DVFS ●动态负载，拥有快速瞬态信号 ●串扰和耦合提高 ●开关稳压器，上升时间更快这就产生了一个重要问题：面对所有这些...[详细]
中兴手机宣布Axon 10 Pro将会支持20倍混合变焦

5月27日傍晚中兴手机官方微博宣布旗下的Axon 10 Pro将支持20倍混合变焦。值得注意的是，早前中兴手机战略发展部主管吕钱浩就确认Axon 10 Pro支持10倍混合变焦，此番官方宣布Axon 10 Pro将支持20倍混合变焦，意味着后续可能还会有所谓的30倍、40倍等混合变焦登场(中兴Axon 10 Pro也支持3倍光学变焦)。那什么是混合变焦，它与数码变焦、光学变焦有什么区...[详细]
台积电： 16奈米FFC 明年量产

台积电衝刺旗下目前已量产最先进的16奈米製程再出击，预计明年推出更具成本优势的16奈米FFC製程，主要提供高通、联发科、海思等大客户使用，锁定中低阶手机晶片及游戏机晶片。法人认为，16奈米FFC製程可节省晶片光罩数，大幅降低客户成本，此製程到位之后，台积电16奈米製程更是如虎添翼，通吃高中低手机晶片代工订单，成为明年最具成长性的製程，有望快速取代20奈米，成推升台积营收、获利成长...[详细]
C51单片机与PC串口通信的单片机部分程序

注意波特率是9600 功能：电脑通过串口给单片机发一个字节，单片机收到后又给电脑发回去、#include #define uchar unsigned char #define uint unsigned int uint temp; bit flag; void init_ser1(); main() { init_ser1(); while(1) { if(RI==1) { P1=...[详细]
出门问问发布TicWatch C2智能手表

人工智能公司出门问问推出经典系列智能手表TicWatch C2，该系列主打外观设计，同时出门问问还推出了女性定制款TicWatch C2玫瑰金。 TicWatch C2系列手表　　TicWatch C2整个外观设计干净整洁，表盘为圆形。出门问问表示TicWatch C2的表框边缘曲线控制在G2连续曲率上，类似自然界水滴表面弧度。表壳采用奥氏体316L不锈钢材质，表带则是意大利进口...[详细]
360年会周鸿祎放大招：要做智能家居机器人

　　1月27日，在360公司董事长兼CEO在公司年会上表示。他最大的梦想是在做智能家居机器人。360公司将在图像识别和人工智能方面继续投入，做有云端处理能力的智能硬件产品，这是360的未来的发展方向。　　周鸿祎说无论风口在那，未来360依然要保持技术和产品的研发和创新，作出在行业里领先的或者是别人没有做出来过的产品“仅仅是靠营销模式，靠发布会变的花样，靠送不同的邀请函，即使飞到了空中，最后风口...[详细]
软启动器电压斜坡启动和电流模式有什么区别

软启动器是一种用于电动机启动的电气设备，它可以有效地减少启动时的电流冲击，延长电动机和设备的使用寿命。软启动器的启动方式主要有电压斜坡启动和电流模式启动两种。本文将详细介绍这两种启动方式的区别。电压斜坡启动电压斜坡启动是软启动器最常用的启动方式之一。在启动过程中，软启动器逐渐增加电动机的输入电压，使电动机的启动电流逐渐增加，直至达到额定电流。这种启动方式具有以下特点： 1.1 启动电...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多