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STPR815DB

产品描述8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小36KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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STPR815DB概述

8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

STPR815DB规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL FLAMMABILITY
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
STPR805DB thru 820DB
REVERSE VOLTAGE -
50
to
200
Volts
FORWARD CURRENT -
8.0
Amperes
SUPER FAST
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Superfast switching time for high efficiency
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification
94V-0
B
C
K
PIN
1
2
TO-220AC
L
M
D
A
E
TO-220AC
MAX.
MIN.
DIM.
14.22
15.88
A
10.67
9.65
B
3.43
2.54
C
6.86
D
5.84
9.28
8.26
E
F
G
I
H
J
N
G
H
-
12.70
6.35
14.73
F
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AC molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.08 ounces, 2.24 grams
Mounting position : Any
PIN 1
PIN 2
CASE
5.33
4.83
0.51
1.14
I
J
0.30
0.64
K
3.53
4.09
L
3.56
4.83
M
1.14
1.40
2.92
2.03
N
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
STPR805DB
50
35
50
STPR810DB
100
70
100
8
100
1.3
0.8
STPR815DB
150
105
150
STPR820DB
200
140
200
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
C
=
125 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Metod)
Maximum Forward
Voltage
I
F
=
8A
Maximum DC Reverse Current
at Peak Reverse Voltage
Typical Junction
Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
I
FSM
A
@T
J
=25 C
@T
J
=150 C
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
V
F
V
I
R
C
J
T
RR
R
0JC
10
500
45
25
3.0
-55 to +150
uA
pF
ns
C/W
T
J
,T
STG
C
REV. 3, 13-Sep-2001, KTGA03
NOTES :1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Reverse Recovery Test Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A ,I
RR
0.25A.
3.Thermal Resistance Junction to Case.
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