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RB551V-30

产品描述0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小29KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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RB551V-30概述

0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE

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RB551V-30
SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features
• Small surface mounting type
• Ultra low V
F
• High reliability
PINNING
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
1
SA
Applications
• High frequency rectification switching regulation
Top View
Marking Code: "SA"
Simplified outline SOD-323 and symbol
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Peak Reverse Voltage
DC Reverse Voltage
Mean Rectifying Current
Peak Forward Surge Current (60 Hz for 1 Cyc.)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
s
Value
30
20
0.5
2
125
- 40 to + 125
Unit
V
V
A
A
O
C
C
O
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 100 mA
at I
F
= 500 mA
Reverse Current
at V
R
= 20 V
Symbol
V
F
Max.
0.36
0.47
100
Unit
V
I
R
µA
Note: ESD sensitive product handling required.
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