Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RB751V-40

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RB751V-40: 产品描述0.3 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小27KB，共2页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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RB751V-40概述

0.3 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.3 A, 40 V, 硅, 信号二极管

RB751V-40规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
工艺	SCHOTTKY
结构	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
最大功耗极限	0.2000 W
二极管类型	SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压	40 V
最大平均正向电流	0.3000 A

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RB751V-40

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

• Small surface mounting type

• Low reverse current and low forward voltage

• High reliability

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Applications

• High speed switching

Top View

Marking Code: "S8"

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T

= 25

Parameter

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Mean Rectifying Current

Peak Forward Surge Current (60 Hz for 1 Cyc.)

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Symbol

FSM

Value

200

125

- 40 to + 125

Unit

Characteristics at T

= 25

Parameter

Forward Voltage

at I

= 1 mA

Reverse Current

at V

= 30 V

Capacitance Between Terminals

at V

= 1 V, f = 1 MHz

Note: ESD sensitive product handling required.

Symbol

Typ.

Max.

0.37

0.5

Unit

µA

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