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US1008FL

产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小230KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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US1008FL概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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US1001FL
THRU
US1008FL
1 Amp
Ultra
Fast Recovery
Features
Low Cost
Ultra fast Recovery
High Reliability
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
Recovery
Silicon Rectifier
50 to
1000
Volts
SOD-123FL
A
B
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65 C to +150 C
Storage Temperature: -65 C to +150 C
Maximum Thermal Resistance;
180
C/W Junction To Ambient.
MCC
Part
Number
US1001FL
US1002FL
US1003FL
US1004FL
US1006FL
US1007FL
US1008FL
Device
Marking
U1
U2
U3
U4
U5
U6
U7
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
C
E
H
D
G
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
US1001FL-03FL
US1004FL
US1006FL-08L
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
US1001L-03FL
US1004FL
US1006L-07L
US1008FL
Typical Junction
Capacitance
I
F(AV)
I
FSM
1.0A
30A
T
L
=
90
C
8.3ms, half sine
DIM
A
B
C
D
E
G
H
V
F
1.0V
1.40V
1.70V
2
A
20
A
I
FM
= 1.0A;
T
a
= 25 C
DIMENSIONS
INCHES
MM
MIN
MAX
MIN
MAX
.140
.152
3.55
3.85
.100
.112
2.55
2.85
.055
.071
1.40
1.80
.037
.053
0.95
1.35
.020
.039
0.50
1.00
.010
-----
0.25
-----
-----
.008
----
.20
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
NOTE
I
R
Ta = 25 C
Ta = 125 C
0.093”
0.048”
T
rr
35ns
50ns
75ns
100ns
20pF
I
F
=
0.5A,I
R
=1.0A,
T
rr
=
0.25Α
0.036”
C
J
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
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