DDR DRAM Module, 128MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-200
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | 南亚科技(Nanya) |
零件包装代码 | DIMM |
包装说明 | DIMM, |
针数 | 200 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.45 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 67.6 mm |
内存密度 | 8589934592 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 200 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 65 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128MX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.8 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | ZIG-ZAG |
宽度 | 30 mm |
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