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BAV101

产品描述0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小107KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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BAV101概述

0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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BAV101~BAV103
Silicon Epitaxial Planar Diodes
High Voltage Switching Diodes
LL-34
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
BAV101
BAV102
BAV103
BAV101
BAV102
BAV103
Symbol
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
at t = 1 s
at t = 100
μs
at t = 1
μs
I
FSM
P
tot
T
j
T
stg
Value
120
200
250
100
150
200
250
625
1
3
9
400
175
- 65 to + 175
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
O
Continuous Forward Current
Repetitive Peak Forward Current
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
C
C
O
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 100 mA
at I
F
= 200 mA
Reverse Current
at V
R
= 100 V
at V
R
= 150 V
at V
R
= 200 V
at V
R
= 100 V, T
j
= 150
O
C
at V
R
= 150 V, T
j
= 150
O
C
at V
R
= 200 V, T
j
= 150
O
C
Diode Capacitance
at V
R
= 0, f = 1 MHz
Reverse Recovery Time
at I
F
= I
R
= 30 mA, I
rr
= 3 mA, R
L
= 100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV101
BAV102
BAV103
Symbol
V
F
Max.
1
1.25
100
100
100
100
100
100
5
50
Unit
V
I
R
nA
nA
nA
µA
µA
µA
pF
ns
C
d
t
rr
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