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BAV70WS

产品描述Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
文件大小74KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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BAV70WS概述

Silicon Epitaxial Planar Switching Diode

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BAV70WS
Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
PINNING
PIN
1
2
1
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
W2
Top View
Marking Code: "W2"
Simplified outline SOD-323 and symbol
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Non-Repetitive Peak Forward Current
Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
t = 1 µs
t=1s
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
P
d
T
j
T
stg
Value
70
200
2
1
250
150
- 55 to + 150
Unit
V
mA
A
mW
O
C
C
O
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Reverse Voltage
at I
R
= 100
μA
Forward Voltage
at I
F
= 1 mA
at I
F
= 10 mA
at I
F
= 50 mA
Reverse Voltage
at V
R
= 70 V
at V
R
= 25 V, T
a
= 150
O
C
at V
R
= 70 V, T
a
= 150
O
C
Reverse Recovery Time
at I
F
= I
R
= 10 mA to I
R
= 1 mA, R
L
= 100
Total Capacitance
at V
R
= 0, f = 1 MHz
Symbol
V
R
Min.
70
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
715
855
1
5
60
100
6
1.5
Unit
V
mV
mV
V
μA
V
F
I
R
t
rr
C
T
ns
pF
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