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ERT2CF_R2_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, SMBF, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ERT2CF_R2_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, SMBF, 2 PIN

ERT2CF_R2_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMBF, 2 PIN
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
应用SUPER HYPER FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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ERT2AF SERIES
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• High temperature metallurgically bonded-no compression
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Ultra thin profile package for space constrained utilization
• Easy pick and place package suitable for automated handling
• Glass passivated junction with epi wafer
• Hyperfast recovery time
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
50~600 Volt
CURRENT
2 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: SMBF molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx. Weight: 0.0018 ounces, 0.05 grams
• Polarity: Color band denotes cathode end
1
2
Cathode
Anode
o
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
PA RA ME TE R
Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
RMS Vo lta g e
D C B lo c k i ng Vo lta g e
A ve ra g e F o rwa rd C urre nt
P e a k F o rwa rd S urg e C ur re nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf si ne -
wa ve s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d
F o rwa rd Vo lta g e a t 2 A
D C Re ve rs e C urre nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l Junc ti o n C a p a c i ta nc e
S YMB OL E RT2 A F E RT2 B F E RT2 C F E RT2 D F E RT2 E F E RT2 GF E RT2 J F UNITS
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F (AV )
I
F S M
V
F
0 .9 5
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
2
50
1 .2 5
1 .7
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
V
T
J
= 2 5
O
C
I
R
1
A
(No te 1 )
C
J
R
J
L
R
J
A
T
rr
T
J
,T
S TG
35
20
135
25
-5 5 to +1 5 0
25
15
O
pF
C / W
ns
O
Typ i c a l The rma l Re s i sta nc e ,J unc ti o n to L e a d ( No te 3 )
J unc ti o n to A mb i e nt (No te 4 )
Re ve rs e Re co ve ry Ti me
(No te 2 )
Op e ra ti ng J unc ti o n Te mp e ra ture a nd S to ra g e Te mp e ra ture
Ra ng e
C
NOTES:1.Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4 Volt.
2.Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1A, Recover to 0.25A.
3.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, with 10cm*10cm copper pad area
4.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
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