Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Silicon,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W4 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 25 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -50 °C |
最大输出电流 | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
最大反向电流 | 0.000005 µA |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
VE108 | VE87 | VE88 | VE27 | VE68 | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, | Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, | Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, | Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, | Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknow | unknow |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W4 | O-PBCY-W4 | O-PBCY-W4 | O-PBCY-W4 | O-PBCY-W4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 25 A | 25 A | 25 A | 25 A | 25 A |
元件数量 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
相数 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -50 °C | -50 °C | -50 °C | -50 °C | -50 °C |
最大输出电流 | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V | 800 V | 800 V | 200 V | 600 V |
最大反向电流 | 0.000005 µA | 0.000005 µA | 0.000005 µA | 0.000005 µA | 0.000005 µA |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE | AVALANCHE | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved