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LTP120N06: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小288KB，共8页; 制造商台湾光宝(LITEON); 官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index; Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯；公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案，稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明，商用产品和应用特定型产品的大批量生产，以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。

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LTP120N06概述

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

LTP120N06规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	台湾光宝(LITEON)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compli
雪崩能效等级（Eas）	405 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	120 A
最大漏源导通电阻	0.004 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	480 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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