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AT49BV040A-70VI

产品描述512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32
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文件大小155KB,共17页
制造商Atmel (Microchip)
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AT49BV040A-70VI概述

512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32

AT49BV040A-70VI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码TSOP1
包装说明8 X 14 MM, PLASTIC, MO-142BA, VSOP-32
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度12.4 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1,2,1,7
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.56,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm

AT49BV040A-70VI相似产品对比

AT49BV040A-70VI AT49BV040A-70JI AT49BV040A AT49BV040A-70TI
描述 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32
组织 512KX8 512KX8 512K × 8 512KX8
表面贴装 YES YES Yes YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING J BEND GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL QUAD DUAL
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) - Atmel (Microchip)
零件包装代码 TSOP1 QFJ - TSOP1
包装说明 8 X 14 MM, PLASTIC, MO-142BA, VSOP-32 PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 - 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
针数 32 32 - 32
Reach Compliance Code compli compli - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
最长访问时间 70 ns 70 ns - 70 ns
启动块 BOTTOM BOTTOM - BOTTOM
命令用户界面 YES YES - YES
数据轮询 YES YES - YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PQCC-J32 - R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 - e0
长度 12.4 mm 13.97 mm - 18.4 mm
内存密度 4194304 bi 4194304 bi - 4194304 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH - FLASH
湿度敏感等级 3 2 - 3
部门数/规模 1,2,1,7 1,2,1,7 - 1,2,1,7
字数 524288 words 524288 words - 524288 words
字数代码 512000 512000 - 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 QCCJ - TSOP1
封装等效代码 TSSOP32,.56,20 LDCC32,.5X.6 - TSSOP32,.8,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE CHIP CARRIER - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 225 - 240
电源 3/3.3 V 3/3.3 V - 3/3.3 V
编程电压 2.7 V 2.7 V - 2.7 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 3.556 mm - 1.2 mm
部门规模 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K - 16K,8K,32K,64K
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A - 0.00005 A
最大压摆率 0.07 mA 0.07 mA - 0.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V - 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - 3 V
技术 CMOS CMOS - CMOS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距 0.5 mm 1.27 mm - 0.5 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - 30
切换位 YES YES - YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE - NOR TYPE
宽度 8 mm 11.43 mm - 8 mm
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